[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造、檢測和驅動方法有效
| 申請號: | 200910093486.7 | 申請日: | 2009-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN102033372A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 曹昆;李于華 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82;G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 曲鵬 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 制造 檢測 驅動 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示器、液晶顯示器的制造方法、檢測方法和驅動方法,尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造、檢測和驅動方法。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay,簡稱TFT-LCD)的主體結構包括對盒在一起并將液晶夾設其間的陣列基板和彩膜基板,陣列基板上形成有柵線、數據線以及以矩陣方式排列的薄膜晶體管和像素電極,彩膜基板上形成有黑矩陣、彩色樹脂和公共電極,通過控制陣列基板的像素電極與彩膜基板的公共電極之間的電壓差使液晶分子偏轉,液晶分子偏轉的角度不同使透過的光線不同,從而產生不同的灰度,實現所需畫面的顯示。
TFT-LCD生產中,對制作完成的TFT-LCD陣列基板進行檢測(Array?Test)是保證產品質量的重要環節,目前現有技術通常是采用模擬成盒方式進行TFT-LCD陣列基板的檢測。檢測裝置是一種通過光電轉換進行檢測的設備,主體結構包括用來反射光的鏡子和鏡子上方的液晶層。在檢測時,將TFT-LCD陣列基板設置在鏡子下方12μm~20μm處,并輸入數據信號,利用液晶分子隨周圍電場改變而旋轉的特性,配合光電轉換和成像系統完成對TFT-LCD陣列基板的檢測。由此可見,采用模擬成盒方式進行TFT-LCD陣列基板檢測的裝置不僅結構復雜,價格昂貴,而且檢測手段相對單一,靈活性不足。
此外,殘像(Image?Sticking)問題一直是TFT-LCD呈待解決的重要缺陷之一。由于TFT-LCD是穩態模式(Hold-Type)顯示方式,在液晶兩側的取向層或其它微結構中可能存在電荷累積,累積的電荷在像素電極與公共電極之間產生額外的電位差,在不施加數據信號時額外的電位差也會使液晶偏轉,從而產生旋光效果,引起影像殘留。另外,當長時間顯示同一畫面時,液晶分子容易被極化,被極化的液晶分子也會產生旋光效果,引起影像殘留。目前現有技術通常是采用材料多元化的方法克服殘像缺陷,但效果并不顯著。
發明內容
本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造、檢測和驅動方法,不僅可以通過電學方式實現薄膜晶體管是否不良和特性的檢測,而且可以有效克服殘像缺陷。
為了實現上述目的,本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板,包括形成在基板上的第一柵線、數據線、像素電極和第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管用于控制數據線向像素電極提供數據電壓,還包括第二柵線、檢測線和第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極、第二源電極和第二漏電極,所述第二柵電極與第二柵線連接,所述第二源電極與檢測線連接,所述第二漏電極與像素電極連接。
所述第二柵線和第二柵電極形成在基板上,其上覆蓋柵絕緣層,包括半導體層和摻雜半導體層的第二有源層形成在柵絕緣層上并位于第二柵電極的上方,所述第二源電極和第二漏電極形成在第二有源層上,鈍化層形成在上述構圖上,其上開設有使第二漏電極與像素電極連接的第二過孔和使第二源電極與檢測線連接的第三過孔。
所述檢測線位于第二柵線的上方。
所述檢測線與像素電極同層設置。
為了實現上述目的,本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法,包括:
通過構圖工藝形成包括第一柵線、第二柵線、第一柵電極和第二柵電極的圖形,所述第一柵電極與第一柵線連接,所述第二柵電極與第二柵線連接;
通過構圖工藝形成包括第一有源層、第二有源層、數據線、第一源電極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極的圖形;
通過構圖工藝形成包括第一過孔、第二過孔和第三過孔的圖形,所述第一過孔位于第一漏電極所在位置,所述第二過孔位于第二漏電極所在位置,所述第三過孔位于第二源電極所在位置;
通過構圖工藝形成包括像素電極和檢測線的圖形,所述像素電極通過第一過孔與第一漏電極連接,通過第二過孔與第二漏電極連接,所述檢測線通過第三過孔與第二源電極連接。
為了實現上述目的,本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板檢測方法,包括:
在第一柵線和/或第二柵線上加載開啟或關斷電壓;
根據數據線與檢測線之間導通狀態的測量結果判斷薄膜晶體管是否不良。
所述在第一柵線和/或第二柵線上加載開啟或關斷電壓包括:在第一柵線和第二柵線上加載關斷電壓;或在第一柵線上加載開啟電壓,在第二柵線上加載關斷電壓;或在第一柵線上加載關斷電壓,在第二柵線上加載開啟電壓;或在第一柵線和第二柵線上加載開啟電壓。
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