[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造、檢測和驅動方法有效
| 申請號: | 200910093486.7 | 申請日: | 2009-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN102033372A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 曹昆;李于華 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82;G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 曲鵬 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 制造 檢測 驅動 方法 | ||
1.一種TFT-LCD陣列基板,包括形成在基板上的第一柵線、數據線、像素電極和第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管用于控制數據線向像素電極提供數據電壓,其特征在于,還包括第二柵線、檢測線和第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極、第二源電極和第二漏電極,所述第二柵電極與第二柵線連接,所述第二源電極與檢測線連接,所述第二漏電極與像素電極連接。
2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二柵線和第二柵電極形成在基板上,其上覆蓋柵絕緣層,包括半導體層和摻雜半導體層的第二有源層形成在柵絕緣層上并位于第二柵電極的上方,所述第二源電極和第二漏電極形成在第二有源層上,鈍化層形成在上述構圖上,其上開設有使第二漏電極與像素電極連接的第二過孔和使第二源電極與檢測線連接的第三過孔。
3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述檢測線位于第二柵線的上方。
4.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述檢測線與像素電極同層設置。
5.一種TFT-LCD陣列基板制造方法,其特征在于,包括:
通過構圖工藝形成包括第一柵線、第二柵線、第一柵電極和第二柵電極的圖形,所述第一柵電極與第一柵線連接,所述第二柵電極與第二柵線連接;
通過構圖工藝形成包括第一有源層、第二有源層、數據線、第一源電極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極的圖形;
通過構圖工藝形成包括第一過孔、第二過孔和第三過孔的圖形,所述第一過孔位于第一漏電極所在位置,所述第二過孔位于第二漏電極所在位置,所述第三過孔位于第二源電極所在位置;
通過構圖工藝形成包括像素電極和檢測線的圖形,所述像素電極通過第一過孔與第一漏電極連接,通過第二過孔與第二漏電極連接,所述檢測線通過第三過孔與第二源電極連接。
6.一種TFT-LCD陣列基板檢測方法,其特征在于,包括:
在第一柵線和/或第二柵線上加載開啟或關斷電壓;
根據數據線與檢測線之間導通狀態的測量結果判斷薄膜晶體管是否不良。
7.一種TFT-LCD陣列基板驅動方法,其特征在于,包括:在第一柵線提供開啟信號之前,向第二柵線提供開啟信號,通過檢測線與像素電極導通使像素電極產生消除殘像的變化。
8.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板驅動方法,其特征在于,所述通過檢測線與像素電極導通使像素電極產生消除殘像的變化包括:第二薄膜晶體管導通使檢測線與像素電極導通,使檢測線成為像素電極上殘存電荷的釋放通道,釋放像素電極的殘存電荷以消除殘像。
9.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板驅動方法,其特征在于,所述通過檢測線與像素電極導通使像素電極產生消除殘像的變化包括:第二薄膜晶體管導通使檢測線與像素電極導通,通過檢測線向像素電極施加反向過驅動電壓,消除液晶分子被極化現象以消除殘像。
10.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板驅動方法,其特征在于,所述通過檢測線與像素電極導通使像素電極產生消除殘像的變化包括:第二薄膜晶體管導通使檢測線與像素電極導通,通過檢測線向像素電極施加黑屏控制電壓,在兩幀畫面中插入一幀黑畫面以消除殘像。
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