[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910093485.2
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102034751A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 周偉峰;謝振宇;郭建;明星;趙鑫
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)技術在近十年有了飛速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。隨著TFT-LCD生產的不斷擴大，各生產商在不斷提高產品性能的同時，也在不斷努力降低產品的生產成本，從而提高市場的競爭力。

TFT-LCD的主體結構包括對盒在一起并將液晶夾設其間的TFT-LCD陣列基板和彩膜基板，TFT-LCD陣列基板是通過一組構圖工藝制作完成，現在技術通常采用的四次構圖工藝包括：通過采用普通掩模板的第一次構圖工藝形成柵線和柵電極圖形；通過采用半色調或灰色調掩模板的第二次構圖工藝形成有源層、數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域圖形；通過采用普通掩模板的第三次構圖工藝形成鈍化層過孔、柵線接口過孔和數據線接口過孔圖形；通過采用普通掩模板的第四次構圖工藝形成像素電極圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

在TFT-LCD陣列基板制備過程中，形成過孔是非常重要的一步工序，它使得像素電極與薄膜晶體管的漏電極連接，以及使得柵線接口過孔和數據線接口過孔處與連接電極連接。圖15a～圖17b為現有技術TFT-LCD陣列基板制造方法中制備過孔的示意圖，制備過程說明如下。

圖15a和圖15b為現有技術TFT-LCD陣列基板制造方法中涂敷感光樹脂層后的結構示意圖，其中圖15a為薄膜晶體管所在位置的剖面圖，圖15b為柵線接口區域所在位置的剖面圖。在完成柵線11、柵電極2、柵絕緣層3、有源層(包括半導體層4和摻雜半導體層5)、數據線、源電極6和漏電極7圖形后，在上述構圖上均勻涂敷一層感光樹脂層8，如圖15a和圖15b所示。

圖16a和圖16b為現有技術TFT-LCD陣列基板制造方法中曝光顯影后的結構示意圖，其中圖16a為薄膜晶體管所在位置的剖面圖，圖16b為柵線接口區域所在位置的剖面圖。采用普通掩模板對感光樹脂層8進行曝光處理，顯影后形成第一過孔21和第三過孔23的圖形，其中第一過孔21位于柵線接口區域中柵線11的上方，暴露出柵絕緣層3，第三過孔23位于薄膜晶體管中漏電極7的上方，暴露出漏電極7的表面，如圖16a和圖16b所示。

圖17a和圖17b為現有技術TFT-LCD陣列基板制造方法中刻蝕工藝后的結構示意圖，其中圖17a為薄膜晶體管所在位置的剖面圖，圖17b為柵線接口區域所在位置的剖面圖。通過刻蝕工藝將第一過孔21內的柵絕緣層3刻蝕掉，暴露出柵線11的表面，如圖17a和圖17b所示。

由于現有技術上述流程需要采用刻蝕工序，基板需要經過不同設備的處理，工藝路線較長，花費時間較多，因此現有技術流程存在生產效率較低、制作成本較高等缺陷。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，有效提高生產效率，降低制作成本。

為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

在基板上通過構圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；

在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、源電極和漏電極的圖形，同時去除上述圖形以外區域的柵絕緣層；

在完成前述步驟的基板上通過曝光顯影在感光樹脂層上形成包括第一過孔、第二過孔和第三過孔的圖形，所述第一過孔位于柵線接口區域所在位置，所述第二過孔位于數據線接口區域所在位置，所述第三過孔位于漏電極所在位置；

在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括像素電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，所述第一連接電極通過第一過孔與柵線連接，所述第二連接電極通過第二過孔與數據線連接，所述像素電極通過第三過孔與漏電極連接。

其中，在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、源電極和漏電極的圖形，同時去除上述圖形以外區域的柵絕緣層包括：

連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

沉積源漏金屬薄膜；

采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠部分保留區域，其中光刻膠完全保留區域對應于數據線、源電極和漏電極圖形所在區域，光刻膠部分保留區域對應于源電極和漏電極之間TFT溝道區域圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；

通過濕刻工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的源漏金屬薄膜；