[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910093485.2
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102034751A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 周偉峰;謝振宇;郭建;明星;趙鑫
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上通過構圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；

在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、源電極和漏電極的圖形，同時去除上述圖形以外區域的柵絕緣層；

在完成前述步驟的基板上通過曝光顯影在感光樹脂層上形成包括第一過孔、第二過孔和第三過孔的圖形，所述第一過孔位于柵線接口區域所在位置，所述第二過孔位于數據線接口區域所在位置，所述第三過孔位于漏電極所在位置；

在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括像素電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，所述第一連接電極通過第一過孔與柵線連接，所述第二連接電極通過第二過孔與數據線連接，所述像素電極通過第三過孔與漏電極連接。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、源電極和漏電極的圖形，同時去除上述圖形以外區域的柵絕緣層包括：

連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

沉積源漏金屬薄膜；

采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠部分保留區域，其中光刻膠完全保留區域對應于數據線、源電極和漏電極圖形所在區域，光刻膠部分保留區域對應于源電極和漏電極之間TFT溝道區域圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；

通過濕刻工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的源漏金屬薄膜；

通過干刻工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的柵絕緣層；

通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體層，并刻蝕掉部分厚度的半導體層，同時刻蝕掉光刻膠完全去除區域的柵絕緣層；

剝離剩余的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體層，并刻蝕掉部分厚度的半導體層，同時刻蝕掉光刻膠完全去除區域的柵絕緣層包括：

通過第一階段干刻工藝，在光刻膠部分保留區域完全刻蝕掉源漏金屬薄膜，在光刻膠完全去除區域刻蝕掉部分厚度的柵絕緣層；

通過第二階段干刻工藝，在光刻膠部分保留區域完全刻蝕掉摻雜半導體層和部分厚度的半導體層，在光刻膠完全去除區域刻蝕掉部分厚度的柵絕緣層；

通過第三階段干刻工藝，在光刻膠完全去除區域刻蝕掉剩余厚度的柵絕緣層，暴露出柵線，在光刻膠部分保留區域進行刻蝕修整，形成TFT溝道區域圖形。

4.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一階段干刻工藝與第二階段干刻工藝之間還包括：通過灰化工藝，減小光刻膠的厚度并縮小光刻膠的覆蓋區域。

5.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體層，并刻蝕掉部分厚度的半導體層，同時刻蝕掉光刻膠完全去除區域的柵絕緣層包括：

通過第一階段濕刻工藝，在光刻膠部分保留區域完全刻蝕掉源漏金屬薄膜；

通過灰化工藝，減小光刻膠的厚度并縮小光刻膠的覆蓋區域；

通過第二階段干刻工藝，在光刻膠部分保留區域完全刻蝕掉摻雜半導體層和部分厚度的半導體層，在光刻膠完全去除區域刻蝕掉部分厚度的柵絕緣層；

通過第三階段干刻工藝，在光刻膠完全去除區域刻蝕掉剩余厚度的柵絕緣層，暴露出柵線，在光刻膠部分保留區域進行刻蝕修整，形成TFT溝道區域圖形。

6.一種采用權利要求1～5中任一所述TFT-LCD陣列基板制造方法制備的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括柵線、數據線、像素電極和薄膜晶體管，柵線與數據線之間形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層位于數據線下方和薄膜晶體管所在區域。