[發明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910093196.2
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN102034749A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 周偉峰;郭建;明星
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明實施例涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay；以下簡稱：TFT-LCD)技術在近十年有了飛速地發展，從屏幕的尺寸到顯示的質量都取得了很大進步。經過不斷的努力，TFT-LCD各方面的性能已經達到了傳統陰極射線管(Cathode?Ray?Tube；以下簡稱：CRT)顯示器的水平，大有取代CRT顯示器的趨勢。

隨著LCD生產的不斷擴大，各個生產廠商之間的競爭也日趨激烈。各廠家在不斷提高產品性能的同時，也在不斷努力降低產品的生產成本，從而提高市場的競爭力。開口率是提高LCD亮度、降低用電量的一個重要指標，而采用半搭接結構過孔能夠顯著提高LCD像素區的開口率。

圖1為現有陣列基板的局部俯視結構示意圖，圖2為圖1中的A-A向剖切截面側視圖。如圖1和圖2所示，陣列基板包括襯底基板1，在襯底基板1上形成包括多條橫縱交叉的數據線3和柵掃描線2的圖案，從而圍設形成多個像素單元。像素單元區域以外為邊緣區域，邊緣區域中形成包括接口區(PAD區)的圖案，即數據線接口區15和柵掃描線接口區10，是用于將數據線3和柵掃描線2連接外部驅動電路的區域。每個像素單元中設置有TFT開關和像素電極13，TFT開關具體包括柵電極4、有源層6、源電極7和漏電極8。在各導電圖案之間以絕緣材料保持相互絕緣，例如，在柵電極4和柵掃描線2上覆蓋有柵極絕緣層5，在數據線3、有源層6、源電極7和漏電極8之上覆蓋有鈍化層9。像素電極13通過鈍化層9上的漏電極過孔與漏電極8相連。為了提高像素單元的開口率所采用的傳統半搭接結構是將漏電極8的面積縮小，并將漏電極過孔制備在漏電極8的邊緣，即漏電極過孔的一半搭接在漏電極8的端部，因此漏電極8過孔也可稱為半搭接過孔11。這樣就使像素單元中的像素電極13一部分搭接在漏電極8上，如圖1和圖2所示。接口區上一般也需要設置接口區過孔，接口區過孔上通常填充以像素電極13的材料，從而對接口區的金屬材料起到保護作用。數據線接口區15和柵掃描線接口區10由于不涉及開口率的問題，所以數據線接口區15和柵掃描線接口區10的接口區過孔處通常不采用半搭接結構，因此各接口區過孔可稱為全搭接過孔12。

為了實現半搭接結構，傳統的制備方法是采用掩膜板在像素單元中的對應位置采用全曝光后連續干刻的方法制備半搭接過孔和全搭接過孔，在沉積像素電極薄膜之后就形成了半搭接結構和全搭接結構。

在進行本發明的研究過程中，發明人發現現有技術存在如下缺陷：在半搭接結構處，由于干法刻蝕作用會將漏電極8下方的柵極絕緣層5也刻蝕掉一部分而形成空洞，如圖2中虛線圓圈區域所示。空洞的存在使得后續沉積像素電極13時易形成斷層，并且空洞的存在會使液晶分子在空洞附近的取向發生不固定偏轉，容易發生漏光，而且空洞上方的懸臂漏電極8容易在摩擦取向的時候掉落，形成影響顯示效果的顆粒狀不良。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法，以避免在半搭接結構處出現的空洞現象，減少不良問題。

為實現上述目的，本發明提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上至少形成第一導電圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第一絕緣層；

在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第二導電圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第二絕緣層；

采用雙色調掩膜板對所述第二絕緣層和第一絕緣層進行構圖工藝，在所述第二絕緣層中至少形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過孔的圖案，所述第二導電圖案對應部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導電圖案對應全部所述全搭接過孔的位置；

在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第三導電圖案和第四導電圖案，所述第三導電圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第二導電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四導電圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第一導電圖案的表面上。

為實現上述目的，本發明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成多個像素單元，其中：

所述襯底基板上至少形成有第一導電圖案，且所述第一導電圖案上覆蓋有第一絕緣層；

所述第一絕緣層上至少形成有第二導電圖案，且所述第二導電圖案上覆蓋有第二絕緣層；

所述第二絕緣層上至少形成有第三導電圖案和第四導電圖案；