[發明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910093196.2
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN102034749A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 周偉峰;郭建;明星
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上至少形成第一導電圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第一絕緣層；

在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第二導電圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第二絕緣層；

采用雙色調掩膜板對所述第二絕緣層和第一絕緣層進行構圖工藝，在所述第二絕緣層中至少形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過孔的圖案，所述第二導電圖案對應部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導電圖案對應全部所述全搭接過孔的位置；

在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第三導電圖案和第四導電圖案，所述第三導電圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第二導電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四導電圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第一導電圖案的表面上。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調掩膜板對所述第二絕緣層和第一絕緣層進行構圖工藝，在所述第二絕緣層中形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中形成全搭接過孔的圖案包括：

在所述第二絕緣層上涂覆光刻膠；

采用雙色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括完全保留區域、部分保留區域和完全去除區域的光刻膠圖案，所述部分保留區域對應所述半搭接過孔的位置，所述完全去除區域對應所述全搭接過孔的位置，所述完全保留區域對應所述完全去除區域和所述部分保留區域以外的位置；

進行第一次刻蝕，至少刻蝕掉所述完全去除區域對應的第二絕緣層；

按照所述部分保留區域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；

進行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區域對應的第二絕緣層和完全去除區域對應的第一絕緣層，形成所述半搭接過孔和全搭接過孔。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調掩膜板對所述第二絕緣層和第一絕緣層進行構圖工藝，在所述第二絕緣層中形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中形成全搭接過孔的圖案包括：

在所述第二絕緣層上涂覆光刻膠；

采用雙色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括完全保留區域、部分保留區域和完全去除區域的光刻膠圖案，所述完全去除區域對應所述全搭接過孔的位置且對應所述半搭接過孔位于所述第二導電圖案上方的位置，所述部分保留區域對應剩余的所述半搭接過孔的位置，所述完全保留區域對應所述完全去除區域和所述部分保留區域以外的位置；

進行第一次刻蝕，至少刻蝕掉所述完全去除區域對應的第二絕緣層；

按照所述部分保留區域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；

進行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區域對應的第二絕緣層和完全去除區域對應的第一絕緣層，形成所述半搭接過孔和全搭接過孔。

4.根據權利要求1或2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：

在襯底基板上形成第一導電圖案具體為形成柵掃描線接口區的圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上形成第二導電圖案具體為形成漏電極、數據線接口區和/或間隔設置的數據線的圖案；

在形成上述圖案的襯底基板上形成第三導電圖案具體為形成像素電極、數據線接口區連接線和/或數據線跨接線的圖案，形成第四導電圖案具體為形成柵掃描線接口區連接線的圖案。

5.根據權利要求1或2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成漏電極和/或間隔設置的數據線的作為第二導電圖案的同時，還形成數據線接口區；

在采用雙色調掩膜板對所述第二絕緣層和第一絕緣層進行構圖工藝時，還在所述第二絕緣層中形成全過孔的圖案，所述數據線接口區對應所述全過孔的位置；

在形成上述圖案的襯底基板上形成第三導電圖案和第四導電圖案的同時，還形成數據線接口區連接線的圖案，所述數據線接口區連接線通過所述全過孔形成在所述數據線接口區的表面上。