[發明專利]陣列基板及其制造方法無效
| 申請號: | 200910091488.2 | 申請日: | 2009-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN101995712A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | 陳宇鵬;鄭堯燮 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示器測試技術,尤其涉及一種具備測試電路結構的陣列基板及其制造方法。
背景技術
隨著薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay,以下簡稱:TFT-LCD)制造技術的不斷完善以及成本的不斷降低,TFT-LCD已經被廣泛應用。液晶面板是TFT-LCD中的主要顯示部件,通常由彩膜基板和陣列基板對盒形成。
陣列基板的典型結構是包括橫縱交叉的多條數據線和柵掃描線,圍設形成矩陣形式排列的像素單元。在各像素單元中形成有TFT開關,通過TFT開關導通數據線與像素電極。為保證液晶面板的正常顯示,在進行陣列基板的制造過程中就需要對數據線和柵掃描線進行短路和斷路測試,在形成陣列基板之后還要進行像素電極是否能正常接收信號的測試。
為實現陣列基板的上述測試功能,需要在陣列基板上形成測試電路結構。現有具有測試電路的陣列基板制造方法包括如下流程:首先,在襯底基板1上采用構圖工藝形成包括柵掃描線3、柵電極14和柵聯結線6的圖案,如圖1所示(為清楚起見,本文中附圖僅示出陣列基板上部分像素單元的局部結構),柵聯結線6與各柵掃描線3的一端均相連;而后,對各柵掃描線3進行短路和斷路的不良檢測(Gate?OS?test);在形成柵掃描線3和柵聯結線6的襯底基板1上沉積形成柵絕緣層;然后采用構圖工藝形成有源層15、數據線2、源電極16、漏電極17以及數據聯結線5的圖案,如圖2所示(為使結構清楚,本文附圖中將絕緣材料的膜層透明化顯示),該數據聯結線5與各數據線2的一端均相連;而后,對各數據線2進行短路和斷路的不良檢測(S/D?OS?test);在形成有源層15、數據線2、源電極16、漏電極17和數據聯結線5的襯底基板1上形成鈍化層,并在鈍化層上形成鈍化層過孔22;采用構圖工藝形成像素電極4,如圖3A所示,像素電極4通過鈍化層過孔22與漏電極17連接,圖3B為圖3A圓圈中的放大結構示意圖;最后,進行陣列基板的最終不良檢測(Array?final?test),柵聯結線6和數據聯結線5是僅在最終不良檢測中發揮作用的臨時電路,需要在最終整體線路檢測時分別連接柵掃描線3和數據線2,在陣列基板進行對盒前將會被去除。其中,柵掃描線3、數據線2、像素電極4、柵聯結線6和數據聯結線5均為導電材料制成。
上述過程中所進行的柵掃描線3不良檢測與數據線2不良檢測的方式類似,下面以柵掃描線3不良檢測為例進行說明。如圖4所示,在形成柵掃描線3和柵聯結線6之后,利用一測試設備移動軸18進行測試,移動軸18上設置有第一信號接收器19、第二信號接收器20和信號發射器21,位置關系是使信號發射器21與一條柵掃描線3的一端搭接,第一信號接收器19與該條柵掃描線3的另一端搭接,第二信號接收器20與該條柵掃描線3相鄰的另一條柵掃描線3的一端搭接。兩個信號接收器位于移動軸18的同一端。在測試過程中,由信號發射器21輸出信號,當第一信號接收器19接收的信號低于設定值時則證明該條柵掃描線3斷路,當第二信號接收器20接收的信號高于設定值時則證明相鄰的這兩條柵掃描線3短路。隨著移動軸18沿陣列基板表面的移動,即可以完成對所有柵掃描線3的測試。
但是,在進行本發明的研究過程中,發明人發現上述測試過程存在如下問題:當兩條柵掃描線3之間發生短路時,如圖4所示,由于各柵掃描線3的一端已經被柵聯結線6所連接,所以信號發射器21發射的測試信號不僅可以通過短路位置到達第二信號接收器20,也可以通過柵聯結線6到達,因此對第二信號接收器20的接收造成干擾,導致測試信號的信噪比降低,影響了短路不良的檢出率和設備測試速度。數據線2的不良測試存在相同的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法,以改進陣列基板制造過程中不良測試的效果。
為實現上述目的,本發明提供了一種陣列基板,包括襯底基板;所述襯底基板上形成有橫縱交叉的多條數據線和柵掃描線,圍設形成矩陣形式排列的像素單元;所述像素單元中形成有TFT開關和像素電極,其中,還包括:
數據聯結線,與所述數據線、柵掃描線或像素電極同層形成,且彼此相互間隔,所述數據聯結線與各所述數據線通過第一絕緣層中的數據過孔相連;和/或
柵聯結線,與所述數據線、柵掃描線或像素電極同層形成,且彼此相互間隔,所述柵聯結線與各所述柵掃描線通過第二絕緣層中的柵過孔相連。
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