[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910091169.1
• 申請日: 2009-08-11
• 公開（公告）號: CN101995711A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 李麗;彭志龍;王威
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，形成包括柵電極、柵線和柵極引線的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜、透明導電薄膜和源漏金屬薄膜，形成包括有源層、數據線、數據引線、源電極、漏電極和像素電極的圖形。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：采用磁控濺射或熱蒸發方法，在基板上沉積柵金屬薄膜，采用普通掩模板通過構圖工藝，在顯示區域形成包括柵電極和柵線的圖形，在柵線接口區域形成包括柵極引線的圖形。

3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：采用磁控濺射或熱蒸發方法，在基板上沉積柵金屬薄膜；在柵金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用壓制模具對光刻膠進行壓制，使光刻膠形成第五區域和第六區域，其中，第五區域對應于柵電極、柵線和柵極引線圖形所在區域，第六區域對應于上述圖形以外區域，第五區域光刻膠的厚度大于第六區域光刻膠的厚度；通過次灰化工藝，完全去除第六區域的光刻膠，暴露出該區域的柵金屬薄膜；通過刻蝕工藝刻蝕掉第六區域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，在顯示區域形成包括柵電極和柵線的圖形，在柵線接口區域形成包括柵極引線的圖形。

4.根據權利要求1～3中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

在基板上的顯示區域連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；在基板上的顯示區域和數據線接口區域沉積透明導電薄膜和源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用三調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影處理后，使光刻膠形成第一區域、第二區域、第三區域和第四區域；所述第一區域對應于數據線、數據引線、源電極和漏電極圖形所在區域，所述第二區域對應于像素電極圖形所在區域，所述第三區域對應于TFT溝道區域圖形所在區域，所述第四區域對應于上述圖形以外區域；所述第一區域光刻膠的厚度大于第二區域光刻膠的厚度，所述第二區域光刻膠的厚度大于第三區域光刻膠的厚度，所述第四區域沒有光刻膠；

通過第一次刻蝕工藝，在第四區域連續刻蝕掉源漏金屬薄膜、透明導電薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，在顯示區域形成包括數據線的圖形，在數據線接口區域形成包括數據引線的圖形；

通過第一次灰化工藝，完全去除第三區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝，在第三區域連續刻蝕掉源漏金屬薄膜、透明導電薄膜和摻雜半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導體薄膜，形成包括TFT溝道區域的圖形；

通過第二次灰化工藝，完全去除第二區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過第三次刻蝕工藝，在第二區域刻蝕掉源漏金屬薄膜，形成包括像素電極的圖形；

剝離剩余的光刻膠。