[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910091169.1
• 申請日: 2009-08-11
• 公開（公告）號: CN101995711A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 李麗;彭志龍;王威
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術領域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

目前，制造薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?LiquidCrystal?Display，簡稱TFT-LCD)陣列基板是通過一組構圖工藝制備完成。為了有效地降低TFT-LCD的價格和提高成品率，TFT-LCD陣列基板的制造工藝逐步得到簡化，從開始的七次或六次構圖工藝已經發(fā)展到目前普遍采用的五次構圖工藝。現(xiàn)在技術五次構圖工藝包括：柵線和柵電極構圖、有源層構圖、源電極/漏電極構圖、鈍化層過孔構圖和像素電極構圖。

四次構圖工藝技術是在五次構圖工藝基礎上，利用半透(Half?Tone)或衍射(Gray?Tone)掩模板技術，將有源層構圖與源電極/漏電極構圖合并成一個構圖工藝，通過一次構圖工藝完成有源層、數(shù)據線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形的制作，其工藝過程主要包括：首先沉積柵金屬薄膜，由采用普通掩模板的第一次構圖工藝形成柵線和柵電極圖形；接著連續(xù)沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過采用半透或衍射掩模板的第二次構圖工藝形成有源層、數(shù)據線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形；然后沉積一層鈍化層，通過采用普通掩模板的第三次構圖工藝形成鈍化層過孔、柵線接口過孔和數(shù)據線接口過孔圖形；最后沉積一層透明導電薄膜，通過采用普通掩模板的第四次構圖工藝形成像素電極圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

由于每次構圖工藝均需要把掩模板的圖形轉移到薄膜圖形上，而每一層薄膜圖形都需要精確地罩在另一層薄膜圖形上，因此現(xiàn)有技術五次構圖工藝存在工藝復雜、生產周期長和使用掩模板數(shù)量多等缺陷，同時較長的工藝周期增加了不良發(fā)生率，造成良品率降低、生產成本增加。雖然四次構圖工藝技術減少了一次構圖工藝，但仍存在生產周期長、生產成本高等不足。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，采用二次構圖工藝實現(xiàn)TFT-LCD陣列基板的制造，有效縮短生產周期和降低生產成本。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，形成包括柵電極、柵線和柵極引線的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜、透明導電薄膜和源漏金屬薄膜，形成包括有源層、數(shù)據線、數(shù)據引線、源電極、漏電極和像素電極的圖形。

所述步驟1可以包括：采用磁控濺射或熱蒸發(fā)方法，在基板上沉積柵金屬薄膜，采用普通掩模板通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成包括柵電極和柵線的圖形，在柵線接口區(qū)域形成包括柵極引線的圖形。

所述步驟1也可以包括：采用磁控濺射或熱蒸發(fā)方法，在基板上沉積柵金屬薄膜；在柵金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用壓制模具對光刻膠進行壓制，使光刻膠形成第五區(qū)域和第六區(qū)域，其中，第五區(qū)域對應于柵電極、柵線和柵極引線圖形所在區(qū)域，第六區(qū)域對應于上述圖形以外區(qū)域，第五區(qū)域光刻膠的厚度大于第六區(qū)域光刻膠的厚度；通過次灰化工藝，完全去除第六區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的柵金屬薄膜；通過刻蝕工藝刻蝕掉第六區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，在顯示區(qū)域形成包括柵電極和柵線的圖形，在柵線接口區(qū)域形成包括柵極引線的圖形。

在上述技術方案基礎上，所述步驟2可以包括：

在基板上的顯示區(qū)域連續(xù)沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；在基板上的顯示區(qū)域和數(shù)據線接口區(qū)域沉積透明導電薄膜和源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用三調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影處理后，使光刻膠形成第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域和第四區(qū)域；所述第一區(qū)域對應于數(shù)據線、數(shù)據引線、源電極和漏電極圖形所在區(qū)域，所述第二區(qū)域對應于像素電極圖形所在區(qū)域，所述第三區(qū)域對應于TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域，所述第四區(qū)域對應于上述圖形以外區(qū)域；所述第一區(qū)域光刻膠的厚度大于第二區(qū)域光刻膠的厚度，所述第二區(qū)域光刻膠的厚度大于第三區(qū)域光刻膠的厚度，所述第四區(qū)域沒有光刻膠；

通過第一次刻蝕工藝，在第四區(qū)域連續(xù)刻蝕掉源漏金屬薄膜、透明導電薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，在顯示區(qū)域形成包括數(shù)據線的圖形，在數(shù)據線接口區(qū)域形成包括數(shù)據引線的圖形；

通過第一次灰化工藝，完全去除第三區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝，在第三區(qū)域連續(xù)刻蝕掉源漏金屬薄膜、透明導電薄膜和摻雜半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導體薄膜，形成包括TFT溝道區(qū)域的圖形；