[發明專利]一種鍺基肖特基晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 200910090737.6
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101635262A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 郭岳;安霞;黃如;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L21/265;H01L21/324
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所（普通合伙）
• 代理人: 余長江

1.一種鍺基肖特基晶體管的制備方法，其包括以下步驟：

1-1)在鍺基襯底上制作MOS結構；

1-2)濺射金屬鎳膜；

1-3)進行第一次熱處理，退火使上述金屬鎳薄膜層與位于其下方的鍺層反應形成鎳鍺化物；

1-4)去除未反應的金屬鎳膜；

1-5)在反應生成的鎳鍺化物層中摻入雜質；

1-6)第二次熱處理，熱退火工藝溫度介于400至600度，退火使得上述摻入的雜質激活驅入，在鍺半導體襯底與鎳鍺化物源漏界面處雜質分凝，形成高濃度區域；

1-7)形成接觸孔、金屬連線。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1-1)具體包括：

2-1)在襯底上制作隔離區；

2-2)淀積一柵介質層；

2-3)制備柵結構；

2-4)形成側墻結構。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述鍺基襯底是體鍺襯底或鍺覆絕緣襯底。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述1-2)步驟中，在金屬鎳膜上制備一鈦金屬層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述1-3)步驟中，退火溫度為350℃至600℃，退火時間為30秒至80秒。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述1-5)步驟中，對于PMOS，摻雜Al、Ga、In或Mg，對于NMOS，摻雜P、As、Sb、S或Se。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，摻雜劑量5e13至5e15atom/cm²。

8.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述1-6)步驟中，退火時間介于10秒至70秒。?