[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910089751.4
• 申請(qǐng)日: 2009-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101963723A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛海林;林炳仟;徐宇博;李成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Disp1ay，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD主要由對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板構(gòu)成，其中陣列基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，每個(gè)像素電極由薄膜晶體管控制。當(dāng)薄膜晶體管打開(kāi)時(shí)，像素電極在打開(kāi)時(shí)間內(nèi)充電，薄膜晶體管關(guān)斷后，像素電極電壓將維持到下一次掃描時(shí)重新充電。

對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)普遍采用的單柵結(jié)構(gòu)，由于薄膜晶體管中漏電極與柵電極之間存在重疊，導(dǎo)致薄膜晶體管存在寄生電容Cgd。在薄膜晶體管關(guān)斷的瞬間，該寄生電容Cgd上存儲(chǔ)的電荷Qgd發(fā)生改變，引起像素電極上的電荷分布發(fā)生變化，從而使加載在像素電極上的電壓發(fā)生變化，導(dǎo)致像素電極產(chǎn)生跳變電壓ΔVp，引起畫面閃爍。在實(shí)際生產(chǎn)中，由于工藝和設(shè)備的不穩(wěn)定，使同一母板不同位置處漏電極與柵電極之間的重疊面積大小不均，引起寄生電容Cgd大小不等，造成每個(gè)像素電極產(chǎn)生的跳變電壓ΔVp不同，進(jìn)而造成像素電極電壓的不規(guī)則分布，使畫面顯示不均勻，嚴(yán)重地影響了畫面品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，有效解決現(xiàn)有技術(shù)中寄生電容導(dǎo)致跳變電壓的技術(shù)缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上并限定了像素區(qū)域的第一柵線、第二柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極、具有相同寄生電容的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，在所述第一柵線向第一薄膜晶體管提供開(kāi)啟電壓時(shí)，所述第二柵線向第二薄膜晶體管提供第一電壓，在所述第一柵線向第一薄膜晶體管提供關(guān)斷電壓時(shí)，所述第二柵線向第二薄膜晶體管提供第二電壓，開(kāi)啟電壓-關(guān)斷電壓＝第二電壓-第一電壓。

所述第二電壓為關(guān)斷電壓，所述第一電壓為開(kāi)啟電壓。

所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極、第一有源層、第一源電極、第一漏電極和TFT溝道區(qū)域，所述第一漏電極與第一柵電極具有第一重疊面積，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極、第二有源層和第二漏電極，所述第二漏電極與第二柵電極具有第二重疊面積，所述第一重疊面積與第二重疊面積相等。

所述第一柵電極形成在基板上并與所述第一柵線連接，其上覆蓋有柵絕緣層；所述第一有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上并位于第一柵電極的上方；所述第一源電極的一端位于所述第一柵電極的上方，另一端與所述數(shù)據(jù)線連接；所述第一漏電極的一端位于所述第一柵電極的上方，另一端與所述像素電極連接；所述TFT溝道區(qū)域形成在第一源電極與第一漏電極之間，所述TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層，使TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層暴露出來(lái)，所述第一源電極、第一漏電極和TFT溝道區(qū)域上覆蓋有鈍化層，所述鈍化層位于第一漏電極所在位置開(kāi)設(shè)有使第一漏電極與像素電極連接的鈍化層第一過(guò)孔。

所述第二柵電極形成在基板上并與所述第二柵線連接，其上覆蓋柵絕緣層；所述第二有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上并位于所述第二柵電極的上方；所述第二漏電極的一端位于所述第二柵電極的上方，另一端與所述像素電極連接，所述第二漏電極上覆蓋有鈍化層，所述鈍化層位于第二漏電極所在位置開(kāi)設(shè)有使第二漏電極與像素電極連接的鈍化層第二過(guò)孔。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一柵線、第二柵線、第一柵電極和第二柵電極的圖形，所述第一柵電極與第一柵線連接，所述第二柵電極與第二柵線連接；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過(guò)沉積結(jié)構(gòu)層和構(gòu)圖工藝形成包括第一有源層、第二有源層、數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極和第二漏電極的圖形，所述第一漏電極與第一柵電極的重疊面積等于所述第二漏電極與第二柵電極的重疊面積；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層第一過(guò)孔和鈍化層第二過(guò)孔的圖形，所述鈍化層第一過(guò)孔位于第一漏電極的所在位置，所述鈍化層第二過(guò)孔位于第二漏電極的所在位置；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)鈍化層第一過(guò)孔與第一漏電極連接，通過(guò)鈍化層第二過(guò)孔與第二漏電極連接。

所述步驟2可以包括：