[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910089751.4
• 申請日: 2009-07-22
• 公開（公告）號: CN101963723A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 薛海林;林炳仟;徐宇博;李成
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括形成在基板上并限定了像素區(qū)域的第一柵線、第二柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域內形成有像素電極、具有相同寄生電容的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，在所述第一柵線向第一薄膜晶體管提供開啟電壓時，所述第二柵線向第二薄膜晶體管提供第一電壓，在所述第一柵線向第一薄膜晶體管提供關斷電壓時，所述第二柵線向第二薄膜晶體管提供第二電壓，開啟電壓-關斷電壓＝第二電壓-第一電壓。

2.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二電壓為關斷電壓，所述第一電壓為開啟電壓。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極、第一有源層、第一源電極、第一漏電極和TFT溝道區(qū)域，所述第一漏電極與第一柵電極具有第一重疊面積，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極、第二有源層和第二漏電極，所述第二漏電極與第二柵電極具有第二重疊面積，所述第一重疊面積與第二重疊面積相等。

4.根據(jù)權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一柵電極形成在基板上并與所述第一柵線連接，其上覆蓋有柵絕緣層；所述第一有源層包括半導體層和摻雜半導體層，形成在所述柵絕緣層上并位于第一柵電極的上方；所述第一源電極的一端位于所述第一柵電極的上方，另一端與所述數(shù)據(jù)線連接；所述第一漏電極的一端位于所述第一柵電極的上方，另一端與所述像素電極連接；所述TFT溝道區(qū)域形成在第一源電極與第一漏電極之間，所述TFT溝道區(qū)域的摻雜半導體層被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導體層，使TFT溝道區(qū)域的半導體層暴露出來，所述第一源電極、第一漏電極和TFT溝道區(qū)域上覆蓋有鈍化層，所述鈍化層位于第一漏電極所在位置開設有使第一漏電極與像素電極連接的鈍化層第一過孔。

5.根據(jù)權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二柵電極形成在基板上并與所述第二柵線連接，其上覆蓋柵絕緣層；所述第二有源層包括半導體層和摻雜半導體層，形成在所述柵絕緣層上并位于所述第二柵電極的上方；所述第二漏電極的一端位于所述第二柵電極的上方，另一端與所述像素電極連接，所述第二漏電極上覆蓋有鈍化層，所述鈍化層位于第二漏電極所在位置開設有使第二漏電極與像素電極連接的鈍化層第二過孔。

6.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括形成在所述基板上的公共電極線。

7.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括第一柵線、第二柵線、第一柵電極和第二柵電極的圖形，所述第一柵電極與第一柵線連接，所述第二柵電極與第二柵線連接；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過沉積結構層和構圖工藝形成包括第一有源層、第二有源層、數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極和第二漏電極的圖形，所述第一漏電極與第一柵電極的重疊面積等于所述第二漏電極與第二柵電極的重疊面積；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍化層第一過孔和鈍化層第二過孔的圖形，所述鈍化層第一過孔位于第一漏電極的所在位置，所述鈍化層第二過孔位于第二漏電極的所在位置；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層第一過孔與第一漏電極連接，通過鈍化層第二過孔與第二漏電極連接。