[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910088291.3
• 申請日: 2009-07-13
• 公開（公告）號: CN101957526A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉翔;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。對TFT-LCD來說，陣列基板以及制造工藝決定了其產(chǎn)品性能、成品率和價格。為了有效地降低價格并提高成品率，TFT-LCD陣列基板的制造工藝逐步得到簡化，從開始的七次構(gòu)圖(7mask)工藝已經(jīng)發(fā)展到基于半色調(diào)或灰色調(diào)掩模技術(shù)的四次構(gòu)圖(4mask)工藝。

目前，TFT-LCD陣列基板的制造是通過一組構(gòu)圖工藝形成薄膜圖形來完成，一次構(gòu)圖工藝形成一層薄膜圖形?，F(xiàn)在技術(shù)采用的四次構(gòu)圖工藝技術(shù)是利用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，通過一次構(gòu)圖工藝完成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形的制作。其中在形成TFT溝道區(qū)域圖形時，摻雜半導(dǎo)體薄膜采用干法刻蝕工藝，為了保證完全刻蝕掉TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜，并考慮到刻蝕的均一性和刻蝕的選擇比，通常需要過刻半導(dǎo)體薄膜，即刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄膜，因此現(xiàn)有制作工藝均采用較厚的半導(dǎo)體薄膜，半導(dǎo)體薄膜厚度一般為

根據(jù)薄膜晶體管關(guān)斷電流的定義可知，薄膜晶體管關(guān)斷電流與半導(dǎo)體薄膜的厚度成正比，隨著半導(dǎo)體薄膜厚度的增加，薄膜晶體管的關(guān)斷電流增大，而薄膜晶體管關(guān)斷電流的增大導(dǎo)致漏電增大，縮短像素電極保持電壓的時間，因此將直接降低TFT-LCD陣列基板的性能。進(jìn)一步地，現(xiàn)有技術(shù)采用干法刻蝕工藝刻蝕摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜時，由于物理轟擊效應(yīng)，致使TFT溝道區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體薄膜的表面比較粗糙，也會降低TFT-LCD陣列基板的性能。此外，現(xiàn)有技術(shù)采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板工藝形成TFT溝道區(qū)域中，多步刻蝕工藝導(dǎo)致的不良(如源漏電極搭接和溝道斷路等)嚴(yán)重降低了產(chǎn)品的良品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板制造方法，有效解決現(xiàn)有技術(shù)因采用較厚半導(dǎo)體薄膜導(dǎo)致TFT-LCD陣列基板性能降低的技術(shù)缺陷。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，所述半導(dǎo)體層的表面為經(jīng)表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極和漏電極分別通過所述歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接。

所述表面處理為采用PH₃氣體的P化處理，所述P化處理的射頻功率為5KW～12KW，氣壓為100mT～400mT，氣體的流量為1000～4000sccm。所述半導(dǎo)體層的厚度為

所述像素電極、柵線和柵電極形成在基板上并在同一次構(gòu)圖工藝中形成，即由透明導(dǎo)電薄膜形成的像素電極形成在基板上，柵電極和柵線下方保留有透明導(dǎo)電薄膜。

在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述像素電極、柵線和柵電極上形成有柵絕緣層，所述半導(dǎo)體層形成在柵絕緣層上并位于柵電極的上方，鈍化層形成在半導(dǎo)體層上并覆蓋整個基板，位于半導(dǎo)體層所在位置的鈍化層上開設(shè)有第二過孔和第三過孔，所述第二過孔和第三過孔內(nèi)的半導(dǎo)體層表面為經(jīng)表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極和漏電極形成在鈍化層上，所述源電極通過所述第三過孔內(nèi)的歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接，所述漏電極通過所述第二過孔內(nèi)的歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接。

在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述像素電極、柵線和柵電極上形成有柵絕緣層，所述半導(dǎo)體層形成在柵絕緣層上并位于柵電極的上方，所述半導(dǎo)體層上形成有阻擋層，所述阻擋層兩側(cè)區(qū)域的半導(dǎo)體層表面為經(jīng)表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極通過位于阻擋層一側(cè)的歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接，所述漏電極通過位于阻擋層另一側(cè)的歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、在基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、柵線和柵電極的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過沉積結(jié)構(gòu)層和構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形，且所述半導(dǎo)體層的表面為經(jīng)表面處理形成的歐姆接觸層；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過所述歐姆接觸層與半導(dǎo)體層連接。