[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910088291.3
• 申請日: 2009-07-13
• 公開（公告）號: CN101957526A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 劉翔;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成有像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、半導體層、源電極和漏電極，其特征在于，所述半導體層的表面為經表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極和漏電極分別通過所述歐姆接觸層與半導體層連接。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述表面處理為采用PH₃氣體的P化處理，所述P化處理的射頻功率為5KW～12KW，氣壓為100mT～400mT，氣體的流量為1000～4000sccm。

3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半導體層的厚度為

4.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極、柵線和柵電極形成在基板上并在同一次構圖工藝中形成，即由透明導電薄膜形成的像素電極形成在基板上，柵電極和柵線下方保留有透明導電薄膜。

5.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極、柵線和柵電極上形成有柵絕緣層，所述半導體層形成在柵絕緣層上并位于柵電極的上方，鈍化層形成在半導體層上并覆蓋整個基板，位于半導體層所在位置的鈍化層上開設有第二過孔和第三過孔，所述第二過孔和第三過孔內的半導體層表面為經表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極和漏電極形成在鈍化層上，所述源電極通過所述第三過孔內的歐姆接觸層與半導體層連接，所述漏電極通過所述第二過孔內的歐姆接觸層與半導體層連接。

6.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述鈍化層上還開設有第一過孔，所述漏電極通過所述第一過孔與像素電極連接。

7.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極、柵線和柵電極上形成有柵絕緣層，所述半導體層形成在柵絕緣層上并位于柵電極的上方，所述半導體層上形成有阻擋層，所述阻擋層兩側區域的半導體層表面為經表面處理形成的歐姆接觸層，所述源電極通過位于阻擋層一側的歐姆接觸層與半導體層連接，所述漏電極通過位于阻擋層另一側的歐姆接觸層與半導體層連接。

8.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣上還開設有第一過孔，所述漏電極通過所述第一過孔與像素電極連接。

9.根據權利要求8所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層、半導體層、阻擋層和第一過孔在同一次構圖工藝中形成。

10.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上依次沉積透明導電薄膜和柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極、柵線和柵電極的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過沉積結構層和構圖工藝形成包括柵絕緣層和半導體層的圖形，且所述半導體層的表面為經表面處理形成的歐姆接觸層；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括數據線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過所述歐姆接觸層與半導體層連接。

11.根據權利要求10所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述表面處理為采用PH₃氣體的P化處理，所述P化處理的射頻功率為5KW～12KW，氣壓為100mT～400mT，氣體的流量為1000～4000sccm。

12.根據權利要求10所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述半導體層的厚度為