[發(fā)明專利]集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910088240.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101957426A | 公開(公告)日: | 2011-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王群勇;陽(yáng)輝;吳文章;白樺;陳冬梅;陳曉;陳宇;劉燕芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京圣濤平試驗(yàn)工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 胡小永 |
| 地址: | 100089 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 綜合 環(huán)境 試驗(yàn) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法。
背景技術(shù)
集成電路在實(shí)際使用中會(huì)經(jīng)受到各種環(huán)境應(yīng)力的作用,產(chǎn)品的各薄弱環(huán)節(jié)在這種綜合環(huán)境應(yīng)力的作用下極容易暴露出來(lái)。近年來(lái),大規(guī)模集成電路的研制單位和用戶都在不同場(chǎng)合提出,迫切需求能快速有效的評(píng)價(jià)大規(guī)模集成電路的質(zhì)量與可靠性的試驗(yàn)方法。資料表明,在眾多環(huán)境因素中對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性影響最大的是溫度(40%),振動(dòng)(28%)和濕度(18%,濕度是指相對(duì)濕度,即空氣中實(shí)際所含水蒸汽密度和同溫度下飽和水蒸汽密度的百分比值。)。開展集成電路綜合環(huán)境極限應(yīng)力試驗(yàn)就是研究溫度-濕度-振動(dòng)的綜合極限應(yīng)力試驗(yàn)的方法和程序,使用該方法和程序可以更快更全面的激發(fā)產(chǎn)品的故障缺陷,為研制方提供一種快速、準(zhǔn)確評(píng)價(jià)大規(guī)模集成電路質(zhì)量與可靠性的手段,試驗(yàn)結(jié)果可為改進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)、工藝上的缺陷提供參考資料,為集成電路用戶驗(yàn)收產(chǎn)品提供試驗(yàn)方法。現(xiàn)有技術(shù)中還沒有形成集成電路綜合極限應(yīng)力試驗(yàn)的試驗(yàn)方法。集成電路的設(shè)計(jì)研制周期短,產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性要求高,現(xiàn)有的成熟的試驗(yàn)方法不能滿足快速評(píng)價(jià)集成電路的質(zhì)量與可靠性以及失效率的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能真實(shí)模擬集成電路實(shí)際使用環(huán)境的缺陷。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案提出一種集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法,所述方法包括以下步驟:
S1,根據(jù)集成電路的產(chǎn)品基本信息和使用的環(huán)境信息,獲取試驗(yàn)數(shù)據(jù),所述試驗(yàn)數(shù)據(jù)包括:試驗(yàn)最高溫度TTH、試驗(yàn)最低溫度TTL、試驗(yàn)最高溫度變化率ΔTE、試驗(yàn)功率密度譜、試驗(yàn)濕度和試驗(yàn)電應(yīng)力;
S2,根據(jù)上述試驗(yàn)數(shù)據(jù),分別在給所述集成電路施加額定工作電壓、最高工作電壓、最低工作電壓時(shí),同時(shí)進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)、隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)和濕度試驗(yàn);
S3,上述試驗(yàn)后,對(duì)所述集成電路進(jìn)行功能測(cè)試,如果所述集成電路功能喪失,或任一性能參數(shù)值超出設(shè)計(jì)范圍,則所述集成電路失效;否則,所述集成電路完好。
其中,所述集成電路的產(chǎn)品基本信息包括:最高工作溫度TWH、最低工作溫度TWL、額定工作電壓V、最高工作電壓VH和最低工作電壓VL;
使用的環(huán)境信息包括:最高環(huán)境溫度TEH、最低環(huán)境溫度TEL、最高功率譜密度W、最高溫度變化率ΔTE。
其中,所述試驗(yàn)最高溫度TTH取TWH與TEH+Tq的最小值,試驗(yàn)最低溫度TTL取TWL與TEL-Tq的最大值,其中,Tq為加嚴(yán)溫度;試驗(yàn)最高溫度變化率ΔTE為集成電路使用環(huán)境信息的最高溫度變化率ΔTE;試驗(yàn)功率密度譜的值為集成電路使用環(huán)境信息的最高功率譜密度W。
其中,同時(shí)進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)、隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)和濕度試驗(yàn)的試驗(yàn)步驟為:
S2-1,試驗(yàn)溫度為TTL,所述集成電路的開關(guān)應(yīng)至少通斷兩次;
S2-2,溫度由TTL上升到TTH,所述集成電路的開關(guān)處于接通狀態(tài);
S2-3,溫度維持在TTH,所述集成電路的開關(guān)至少通斷兩次,并且控制濕度為80%-90%;
S2-4,溫度由TTH降至TTL,所述集成電路的開關(guān)處于接通狀態(tài);
隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)在上述過程中的開關(guān)處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)施加。
其中,所述步驟S2-1中,試驗(yàn)最低溫度TTL持續(xù)時(shí)間為40min。
其中,所述步驟S2-2中,溫度由TTL上升到TTH的持續(xù)時(shí)間為t=(TTH-TTL)/ΔTE。
其中,所述步驟S2-3中,溫度TTH持續(xù)時(shí)間為40min。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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