[發明專利]一種減少八仙花組培苗氣生根的方法無效
| 申請號: | 200910087605.8 | 申請日: | 2009-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN101578960A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發明(設計)人: | 王彩云;黃麗莉;劉峰;李揚麗 | 申請(專利權)人: | 華中農業大學 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00;A01G31/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 張紅兵 |
| 地址: | 430070湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減少 八仙花 組培苗氣 生根 方法 | ||
1.一種減少八仙花組培苗氣生根的方法,其步驟包括:
A:在培養瓶中加入40-60ml的珍珠巖,然后加入25-35ml液體生根培養基,所述的液體生根培養基成分及配比如下:1/2B5基本培養基+萘乙酸或吲哚丁酸0.1-1.0mg/L+蔗糖10g/L,調pH至4-7,在121℃下高壓蒸汽滅菌20min,備用;
B:在無菌環境下,將苗高為1-2cm具有2片以上葉片的八仙花‘雪球’品種(Hydrangea.macrophylla‘Kuhnert’)組培苗的頂芽接種于A步驟制備的生根培養基中,在培養室培養30-50天;
C:從珍珠巖中取出八仙花組培苗,勿需清洗和煉苗,直接將八仙花組培苗移栽到體積比為1∶1的泥炭土:珍珠巖的基質中;
其中
上述步驟A和B的培養條件是:光照為1500-2000lx,光照時間16h.d-1,培養溫度為23-25℃;
上述步驟C的移栽條件是:遮蔭為80%,保持相對濕度為95%,栽培溫度為25℃;
上述步驟A的1/2?B5基本培養基成分按mg/L計的配比如下:
硝酸鉀????????????1250.0;
二水氯化鈣????????75.0;
七水硫酸鎂????????125.0;
硫酸氨????????????67.0;
磷酸二氫鈉????????75.0;
碘化鉀????????????0.375;
硼酸??????????????1.5;
四水硫酸錳????????5.0;
七水硫酸鋅????????1.0;
二水鋁酸鈉????????0.125;
五水硫酸銅????????0.0125;
六水氯化鈷????????0.0125;
七水硫酸亞鐵??????13.9;
乙二胺四乙酸二鈉??18.7;
肌醇??????????????50.0;
煙酸??????????????0.5;
鹽酸吡哆醇????????0.5;
鹽酸硫胺素????????5.0。,?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華中農業大學,未經華中農業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910087605.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:燙金卡
- 下一篇:絲印機工作臺的電氣控制機構





