[發明專利]一種減少八仙花組培苗氣生根的方法無效
| 申請號: | 200910087605.8 | 申請日: | 2009-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN101578960A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發明(設計)人: | 王彩云;黃麗莉;劉峰;李揚麗 | 申請(專利權)人: | 華中農業大學 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00;A01G31/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 張紅兵 |
| 地址: | 430070湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減少 八仙花 組培苗氣 生根 方法 | ||
技術領域
本發明屬于植物組織培養技術領域,具體涉及一種減少八仙花組培苗氣生根的方法,以解決八仙花 組培苗生根過程中產生氣生根的問題,提高八仙花的再生植株的移栽成活率。
背景技術
八仙花(Hydrangea?macrophylla)繡球花科,八仙花屬,落葉灌木,高1-2m,花色艷麗,花朵碩大, 花期長,觀賞價值高,是重要的園林和室內盆花植物之一。近年來,隨著微型盆栽如‘雪王后’(H.m.‘Snow Queen’)、‘紅色新娘’(H.m.‘Blushing?Bride’)等名優新品種的培育成功,微型八仙花在國內外市場 越來越受到歡迎,其種苗供不應求。組織培養技術在苗木快繁中顯得越來越重要。與很多其他花卉一樣, 在八仙花組培快繁過程中,通過增加繼代次數、應用細胞分裂素是提高繁殖系數常用的方法。但在提高增 殖率的同時也很容易生成氣生根,即在培養基表面以上的莖的部位形成的根(如馬鈴薯)。氣生根的形成 容易造成八仙花試管苗老化,主要表現為組培苗生長較弱,莖基根系少,生長差,試管苗的存活率低,導 致移栽成活率不高,給生產推廣應用上帶來很大影響。
前人有關八仙花的組培的報道主要集中在中國栽培的普通八仙花原種(Hydrangea?macrophylla)上。 江弈鳳(1996)、邱運亮(2005)、任叔輝(2006)、雷亞靈(2008)等主要從八仙花快繁培養基和激素種 類和濃度方面做了研究,尚未涉及有關氣生根的問題。由于八仙花品種來源不同,基因型的差異表現在快 繁、增殖、生根培養等過程中產生氣根的差異性也不同。一般八仙花組培苗用膠化劑瓊脂蔗糖作為支撐物 質,增殖后培養瓶內生根至瓶外,嚴重影響八仙花再生植株的移栽成活率。該問題到目前為止是八仙花離 體繁殖的難題尚未解決。申請人分析,造成八仙花組培苗氣生根問題主要有以下幾個原因:(1)品種的特 異性,矮花盆栽八仙花品種中均有一定得氣生根的現象形成,個別品種特別嚴重。(2)培養瓶內透氣性差 及其凝膠中水分較多,瓶內濕度較大,容易誘導八仙花形成氣生根。(3)繼代次數對氣生根的形成也有一 定得影響。組培苗經過多次繼代,氣生根增加,生長較弱。(4)組培苗在高濃度的激素條件下,容易產生 氣生根。在申請人所供試的10個八仙花微型品種中,隨著激素濃度和繼代次數的增加,繁殖系數增加, 氣根數量相應增加但程度不同。為了滿足八仙花增殖率的需要,八仙花莖段在B5基本培養基+6-芐氨基嘌 呤(6-BA)1.0mg/L+吲哚丁酸(IBA)0.5mg/L+瓊脂7g/L的快繁增殖培養中,增殖率高,植株的生長速度 較快,并生長健壯,但同時又導致氣生根的形成。
現有文獻對八仙花離體生根的報道主要限于在生根培養基的篩選,但是有關植物組織培養特別是八仙 花的快繁殖過程中外植體的生根是直接受到前處理(培養步驟和培養基)的影響,現有專利或非專利文獻 都沒有涉及。
發明內容
本發明的目的是提供一種減少八仙花組培苗氣生根的方法,以解決八仙花組培苗生根過程中產生氣 生根的難題,提高八仙花的再生植株的移栽成活率。
本發明對八仙花組織培養中的關鍵步驟生根移栽做了試驗對比研究,利用珍珠巖作為支持體代替瓊 脂,結合生根培養基的設計,解決了八仙花氣生根的問題,從而提高了莖基生根率和移栽成活效果。
本發明采用以下技術方案:
申請人發明了一種減少八仙花組培苗氣生根的方法,其步驟包括:
A:在培養瓶中加入40-60mL的珍珠巖,然后加入25-35mL液體生根培養基,所述的液體生根培 養基成分及配比如下:1/2?B5基本培養基+萘乙酸或吲哚丁酸0.1-1.0mg/L+蔗糖10g/L,調pH至4-7, 在121℃下高壓蒸汽滅菌20min,備用;
B:在無菌環境下(例如在超凈工作臺中),將苗高為1-2cm具有2片以上葉片的八仙花組培苗(組培苗 獲得以前的培養步驟和培養基的設計參見實施例部分)的頂芽接種于A步驟制備的生根培養基上,在 培養室內養30-50天;
C:從珍珠巖中取出八仙花組培苗,勿需清洗和煉苗,直接將八仙花組培苗移栽到體積比為1∶1的 泥炭土∶珍珠巖的基質中;
其中
上述步驟A和B的培養條件是:光照為1500-2000lx,光照時間為16h.d-1,培養溫度為23-25℃;
上述步驟C的移栽條件是:遮蔭80%,保持相對濕度95%,栽培溫度為25℃;
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