[發明專利]平面工藝的三維集成電路有效
| 申請號： | 200910086878.0 | 申請日： | 2009-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN101635298A | 公開（公告）日： | 2010-01-27 |
| 發明（設計）人： | 王釗;田文博;尹航 | 申請（專利權）人： | 北京中星微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/00 | 分類號： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京億騰知識產權代理事務所 | 代理人： | 陳 霽 |
| 地址： | 100083北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平面 工藝 三維集成電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路，包括同一晶圓上的第一器件和第二器件；
所述集成電路具有多個層次；
且所述第一器件P型區域與第二器件N型區域處于同一層次不同深度， 且該第一器件P型區域的電位低于該第二器件N型區域的電位，該第一器 件與該第二器件共享區域；
其中，所述第一器件為雙極型晶體管或MOS晶體管；第二器件為MOS 晶體管或雙極型晶體管；
所述第一器件具體為PNP雙極型晶體管，該第一器件P型區域為形成 PNP雙極型晶體管發射極的Pwell區域；所述第二器件具體為NMOS晶體 管，該第二器件N型區域為形成NMOS晶體管有源區的N+區域；
所述第一器件具體為PMOS晶體管，該第一器件P型區域為形成PMOS 晶體管有源區的P+區域；所述第二器件具體為NPN雙極型晶體管，該第 二器件N型區域為形成NPN雙極型晶體管發射極的Nwell區域。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
