[發(fā)明專利]吸附性多孔鋁球制備方法、銫源制備方法及銫源

有效

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• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101560616A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設計）人: 張名程
• 申請（專利權）人: 北京樹誠科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: C22C1/08
• 分類號: C22C1/08;C22C21/00;G21G4/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 呂俊清

技術領域

本發(fā)明涉及放射源及其制備，尤其與銫源、吸附性多孔鋁球的制備方法、使用該吸附性多孔鋁球制備方法的銫源制備方法有關。

背景技術

銫源在冶金自動控制、醫(yī)學、生物育種等領域有著廣泛的應用。現(xiàn)有技術中，制備銫源源芯的工藝過程包括非放射化學工藝部分和放射化學工藝部分。

現(xiàn)有技術中，通常采用的銫源制備方法是銫陶瓷法。該方法的主要步驟是，將硝酸銫和氧化鋁(Al₂O₃)和二氧化硅(SiO₂)按一定比例混合，混合后通過模具及壓制設備壓制成型，然后在高溫燒結設備里燒結制成銫源，燒結的溫度需要達到1200～1300℃；或者，將一定量的CsCl和Na₂O、Al₂O₃、(SiO₂)_4.8沸石粉混合，壓塊后在300℃的環(huán)境下烘干，再經(jīng)燒結溫度為1300℃的燒結過程制成銫源。

綜上，現(xiàn)有技術的銫源制備方法，至少主要有以下兩個方面的缺點

1、在銫源成型階段，銫含量不好確定，難于通過測量把握銫的含量，無法保證銫源成品的質(zhì)量。

2、1200～1300℃高溫燒結的過程，會引起大量的銫揮發(fā)，造成環(huán)境的嚴重破壞；同時如此高的燒結溫度，不僅能耗大，而且其溫度已超過了通常廣泛使用的鋼等材料的熔點，這些材料已不能滿足制作如此高溫燒結設備的需要，因此，銫源制備工藝中燒結設備的制造成本大大增加。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種吸附性多孔鋁球制備方法，該吸附性多孔鋁球?qū)⒂糜阡C源制備工藝中。

本發(fā)明的第二個目的在于提供一種使用本發(fā)明吸附性多孔鋁球制備方法的銫源制備方法，降低銫源制備工藝中的燒結溫度，減少銫揮發(fā)，簡化銫源制備工藝中的放射化學工藝。

本發(fā)明的第三個目的在于提供一種利用本發(fā)明銫源制備方法制備的銫源。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術方案如下：

本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法，其特征在于，包括步驟：

步驟S110：將鋁粉與易于與所述鋁粉混合均勻的粘合劑按一定比例混合，壓制成一定規(guī)格的鋁球，所述鋁粉的顆粒度為50-100微米；

步驟S120：灼燒所述鋁球，以去除所述粘合劑，制成多孔鋁球；

步驟S130：用80攝氏度的3N磷酸溶液酸處理所述多孔鋁球，清洗后經(jīng)灼燒制成所述吸附性多孔鋁球，所述灼燒過程在400攝氏度的馬弗爐中完成，灼燒時間為1小時。

本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法，優(yōu)選的，所述粘合劑為聚乙烯醇，所述鋁粉與所述聚乙烯醇的質(zhì)量混合比例為100∶5。

本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法，優(yōu)選的，在步驟S130中，所述對酸處理后的多孔鋁球的清洗過程在超聲波槽中完成，清洗時間為4小時，清洗劑為蒸餾水。

本發(fā)明的銫源制備方法，其特征在于，包括步驟：

步驟S100：使用本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法制備吸附性多孔鋁球；

步驟S200：將所述吸附性多孔鋁球浸入銫溶液中，吸附飽和；

步驟S300：將吸附飽和的所述吸附性多孔鋁球在馬弗爐中經(jīng)過灼燒溫度為400-450攝氏度的灼燒過程制成銫源源芯；

步驟S400：將所述銫源源芯封裝制成銫源。

本發(fā)明的銫源制備方法，優(yōu)選的，在步驟S300中，所述銫溶液為硝酸銫溶液。

本發(fā)明的銫源，所述銫源包括銫源源芯及封裝所述銫源源芯的外殼，所述銫源源芯中放射性物質(zhì)的載體為本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法制備的吸附性多孔鋁球。

由上述技術方案可知，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明的銫源制備方法，在放射化學工藝中，源芯燒結溫度從1300℃降至400℃，大大減少了Cs揮發(fā)和生產(chǎn)能耗，也降低了燒結設備的制造成本。本發(fā)明的銫源制備方法，其生產(chǎn)工藝的非放射性化學工藝部分，需制備吸附量一定且具有固定外形尺寸的多孔鋁球，其生產(chǎn)工藝的放射化學工藝部分，可僅有簡單的吸附和烘干兩個過程，使得銫源制備的放射化學工藝大大簡化。同時，本發(fā)明的銫源制備方法，吸附性多孔鋁球中的銫含量，取決于鋁球的孔隙率；由于本發(fā)明的銫源制備方法所使用的本發(fā)明的吸附性多孔鋁球制備方法制備的吸附性多孔鋁球，具有均勻的孔隙，每個鋁球在同一份銫溶液中，吸附的銫含量的分散度小，因此，本發(fā)明銫源制備方法制備的銫源，其源芯均勻性較現(xiàn)有技術有很大的提高。

下面通過具體實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。

具體實施方式