[發明專利]吸附性多孔鋁球制備方法、銫源制備方法及銫源

有效

• 申請號: 200910084223.X
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101560616A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 張名程
• 申請（專利權）人: 北京樹誠科技發展有限公司
• 主分類號: C22C1/08
• 分類號: C22C1/08;C22C21/00;G21G4/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 呂俊清

1.一種吸附性多孔鋁球制備方法，其特征在于，所述吸附性多孔鋁球制備方法包括步驟：

步驟S110：將鋁粉與易于與所述鋁粉混合均勻的粘合劑按一定比例混合，壓制成一定規格的鋁球，所述鋁粉的顆粒度為50-100微米；

步驟S120：灼燒所述鋁球，以去除所述粘合劑，制成多孔鋁球；

步驟S130：用80攝氏度的3N磷酸溶液酸處理所述多孔鋁球，清洗后經灼燒制成所述吸附性多孔鋁球，所述灼燒過程在400攝氏度的馬弗爐中完成，灼燒時間為1小時。

2.如權利要求1所述的吸附性多孔鋁球制備方法，其特征在于，所述粘合劑為聚乙烯醇，所述鋁粉與所述聚乙烯醇的質量混合比例為100∶5。

3.如權利要求1所述的吸附性多孔鋁球制備方法，其特征在于，在步驟S130中，所述對酸處理后的多孔鋁球的清洗過程在超聲波槽中完成，清洗時間為4小時，清洗劑為蒸餾水。

4.一種銫源制備方法，其特征在于，所述銫源制備方法包括步驟：

步驟S100：使用如權利要求1-3任一所述的吸附性多孔鋁球制備方法制備吸附性多孔鋁球；

步驟S200：將所述吸附性多孔鋁球浸入銫溶液中，吸附飽和；

步驟S300：將吸附飽和的所述吸附性多孔鋁球在馬弗爐中經過灼燒溫度為400-450攝氏度的灼燒過程制成銫源源芯；

步驟S400：將所述銫源源芯封裝制成銫源。

5.如權利要求4所述的銫源制備方法，其特征在于，所述銫溶液為硝酸銫溶液。

6.一種銫源，所述銫源包括銫源源芯及封裝所述銫源源芯的外殼，其特征在于，所述銫源源芯中放射性物質的載體為權利要求1所述的方法制備的吸附性多孔鋁球。