[發明專利]一種大孔徑薄壁陽極氧化鋁薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 200910083566.4 | 申請日： | 2009-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101555615A | 公開（公告）日： | 2009-10-14 |
| 發明（設計）人： | 劉敏;趙雷;王文靜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院電工研究所 |
| 主分類號： | C25D11/04 | 分類號： | C25D11/04;C25D11/16;C25D11/08 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 | 代理人： | 關 玲;賈玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 孔徑 薄壁 陽極 氧化鋁 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種大孔徑薄壁陽極氧化鋁薄膜，其特征在于所述薄膜的孔徑為200-300納米，孔壁厚度為5-20納米；
所述的薄膜按照以下工藝步驟制備：
(1)依次采用丙酮、乙醇和高純水超聲清洗鋁片10分鐘，去除表面的油脂和臟污；將經過清洗的鋁片置于質量百分數為5％的氫氧化鈉溶液中反應30分鐘，去除鋁片表面的氧化層；
(2)把步驟(1)制得的鋁片放入質量百分數為1％-10％的磷酸溶液中，在40-160V的電壓下陽極氧化1分鐘到1小時，然后將電壓降低至10-120V范圍，繼續陽極氧化10分鐘到10個小時，至此大孔徑薄壁陽極氧化鋁薄膜制備完畢。
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