[發(fā)明專利]制備有序Al納米顆粒的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910082081.3 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101871089A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 游經(jīng)碧;張興旺;高云;董敬敬;陳諾夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/04 | 分類號(hào)： | C23C14/04;C23C14/14;B22F9/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 有序 al 納米 顆粒 方法 | ||
1.一種制備有序Al納米顆粒的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)取一襯底；
2)在襯底上旋涂一層聚甲基丙烯酸甲酯；
3)利用電子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制備模板，形成所需圖案；
4)利用高純Al靶作為金屬Al薄膜沉積的濺射靶，在模板及暴露出的襯底的上面生長(zhǎng)Al薄膜；
5)腐蝕掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留襯底上面的Al薄膜，完成有序Al納米顆粒的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備有序Al納米顆粒方法，其特征在于，其中襯底的材料為石英玻璃或SiO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備有序Al納米顆粒方法，其特征在于，其中在模板上生長(zhǎng)Al薄膜時(shí)的其背景真空度為1×10-5-5×10-5Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備有序Al納米顆粒方法，其特征在于，其中在模板上生長(zhǎng)Al薄膜時(shí)的工作氣體為高純Ar，壓強(qiáng)為0.5-2.0Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備有序Al納米顆粒方法，其特征在于，其中在模板上生長(zhǎng)Al薄膜時(shí)的功率為30-80W，時(shí)間為5-20min。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
