[發明專利]一種復位電路有效
| 申請號: | 200910082075.8 | 申請日: | 2009-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN101873125A | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發明(設計)人: | 劉銘 | 申請(專利權)人: | 北京芯技佳易微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 蘇培華 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復位 電路 | ||
1.一種復位電路,其特征在于,包括接在電源與地之間的MOS管支路,以及,通過分壓連接點與所述MOS管支路連接的反相器支路;所述反相器支路包括反相器,用于受低于其翻轉電壓的電壓信號觸發,產生復位信號;所述復位電路還包括:
與所述MOS管支路連接的阻抗器件,用于在電源電壓下降到第一預設電壓時,使所述分壓連接點的電壓低于反相器的翻轉電壓;其中,所述第一預設電壓高于MOS管支路的閾值電壓。
2.如權利要求1所述的復位電路,其特征在于,所述MOS管支路包括兩個串聯的PMOS管MP0和MP1,所述阻抗器件為電阻R0,所述PMOS管MP0的源極接電源,柵極接偏置電壓或者接地;MP1的柵極接電阻R0的一端,電阻R0的另一端接地;所述分壓連接點包括下電分壓連接點,位于所述PMOS管MP1的柵極與電阻R0之間,并接入所述反相器支路的輸入端。
3.如權利要求2所述的復位電路,其特征在于,還包括:
與所述MOS管支路連接的NMOS管MN0,所述NMOS管MN0的源極接地,柵極接所述反相器支路的輸出端,漏極與MP1的漏極相連。
4.如權利要求3所述的復位電路,其特征在于,所述分壓連接點還包括上電分壓連接點,位于所述PMOS管MP1的漏極與NMOS管MN0的漏極之間;所述反相器支路還用于受高于其翻轉電壓的電壓信號觸發,產生復位結束信號;
所述PMOS管MP0、MP1和NMOS管MN0用于在電源電壓上升到第二預設電壓時,使所述上電分壓連接點的電壓為零電壓;以及,在電源電壓上升到第三預設電壓時,使所述上電分壓連接點的電壓高于反相器的翻轉電壓;其中,所述第二預設電壓低于或等于MOS管支路的閾值電壓,所述第三預設電壓為電路工作電壓。
5.如權利要求1所述的復位電路,其特征在于,所述反相器支路包括奇數個反相器。
6.如權利要求5所述的復位電路,其特征在于,所述反相器支路的輸出端為第2N+1個反相器的輸出端,所述N大于或等于0。
7.如權利要求4所述的復位電路,其特征在于,所述反相器支路還包括:
電容器件,用于將所述復位結束信號延遲傳遞至輸出端。
8.如權利要求2所述的復位電路,其特征在于,所述電阻R0為大于1M歐的電阻。
9如權利要求2所述的復位電路,其特征在于,所述第一預設電壓通過調整PMOS管MP0、MP1的尺寸和電阻R0的大小確定。
10.如權利要求4所述的復位電路,其特征在于,所述第三預設電壓通過調整PMOS管MP0、MP1和NMOS管MN0的尺寸確定。
11.如權利要求1所述的復位電路,其特征在于,所述復位電路用于芯片中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京芯技佳易微電子科技有限公司,未經北京芯技佳易微電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910082075.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





