[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910081210.7 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101852953A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙鑫;明星;周偉峰;張文余;郭建 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器以及制造方法,尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板。
背景技術(shù)
TFT-LCD陣列基板中,通常先在透明基板上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜作為公共電極,然后再在基板上形成像素電極,像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的平行于透明基板的電場使得液晶分子在平行于透明基板的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動,像素電極和公共電極之間不重疊的部分形成液晶電容;像素電極和公共電極之間的重疊部分形成存儲電容,用于保持像素電極上的電壓。
在向像素電極施加電壓的過程中,會產(chǎn)生饋通(Feed?Through),產(chǎn)生的饋通電壓大小為:Δv=(Δgate·Cgd)/(Cgd+Cst+Clc),其中Δv為饋通電壓,ΔGate為TFT的柵電極電壓,Cgd為TFT的柵電極和漏電極之間重疊部分產(chǎn)生的電容,Cst為像素電極和公共電極之間的存儲電容,Clc為像素電極和公共電極之間的液晶電容。饋通電壓的存在會導(dǎo)致施加在像素電極上的電壓下降。
液晶分子的反轉(zhuǎn)是通過像素電極和公共電極之間的電壓差來實現(xiàn)的,并且為了延緩液晶分子老化,相鄰幀的液晶分子兩側(cè)的電壓差是相反的,像素電極電壓下降,會導(dǎo)致液晶顯示時,相鄰幀之間圖像亮度產(chǎn)生突變。如圖16所示為現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD陣列基板的像素電極上產(chǎn)生饋通電壓的示意圖,在第n幀液晶顯示時間內(nèi),初始階段柵電極中輸入的信號11為高電平,像素區(qū)域的TFT打開,數(shù)據(jù)線中輸入的信號12通過TFT輸入到像素電極上,像素電極上輸入的信號13的電壓大于公共電極上輸入的信號14的電壓,由于饋通,像素電極上輸入的信號13與數(shù)據(jù)線中輸入的信號12相比有所下降,像素電極上輸入的信號13與公共電極上輸入的信號14之間的電壓差小于預(yù)期的電壓差,即施加在液晶分子兩側(cè)的電壓差會小于預(yù)期的電壓差;在第n+1幀液晶顯示時間內(nèi),初始階段柵電極中輸入的信號11為高電平,像素區(qū)域的TFT打開,數(shù)據(jù)線中輸入的信號12通過TFT輸入到像素電極上,像素電極上輸入的信號13的電壓小于公共電極上輸入的信號14的電壓,由于饋通,像素電極上輸入的信號13與數(shù)據(jù)線中輸入的信號12相比有所下降,像素電極上輸入的信號13與公共電極上輸入的信號14之間的電壓差大于預(yù)期的電壓差,即施加在液晶分子兩側(cè)的電壓差會大于預(yù)期的電壓差,所以相鄰兩幀液晶顯示時間內(nèi)施加在液晶分子兩側(cè)的電壓差會產(chǎn)生突變,導(dǎo)致畫面顯示不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板,能夠使得相鄰幀液晶顯示時間內(nèi)施加在液晶分子兩側(cè)的電壓差不會由于饋通效應(yīng)的存在而產(chǎn)生突變。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板,包括第一柵線和第一數(shù)據(jù)線,所述第一柵線和第一數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有第一電極和第一TFT,還包括第二TFT和第二電極,所述第二TFT與所述第二電極連接,所述第一電極和第二電極用于形成電壓差驅(qū)動液晶分子反轉(zhuǎn),所述第一TFT與第二TFT同時開啟或關(guān)閉。
本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法,包括:
步驟1、在基板上形成包括第一柵線、第一數(shù)據(jù)線、第二電極、第一源電極、第一漏電極、第一柵電極、第二數(shù)據(jù)線、第二源電極、第二漏電極、第二柵電極、第一TFT溝道、第二TFT溝道的圖形;
步驟2、在完成步驟1的基板上,沉積一層鈍化層薄膜,形成鈍化層過孔;
步驟3、在完成步驟2的基板上,沉積一層透明導(dǎo)電薄膜,形成包括第一電極的圖形,使得所述第二TFT通過所述鈍化層過孔與所述第二電極連接,使得所述第一TFT通過所述鈍化層過孔與所述第一電極連接。
本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板,包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層,所述陣列基板上設(shè)置有第一電極和第一TFT,所述第一TFT與所述第一電極連接,還包括設(shè)置在所述陣列基板或彩膜基板上的第二TFT和第二電極,所述第二TFT與所述第二電極連接,所述第一TFT與第二TFT同時開啟或關(guān)閉。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京京東方光電科技有限公司,未經(jīng)北京京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910081210.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





