[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法和液晶顯示面板有效
| 申請號: | 200910081210.7 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101852953A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 趙鑫;明星;周偉峰;張文余;郭建 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示 面板 | ||
1.一種TFT-LCD陣列基板,包括第一柵線和第一數據線,所述第一柵線和第一數據線限定的像素區域內形成有第一電極和第一TFT,其特征在于,還包括第二TFT和第二電極,所述第二TFT與所述第二電極連接,所述第一電極和第二電極用于形成電壓差驅動液晶分子反轉,所述第一TFT與第二TFT同時開啟或關閉。
2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,還包括第二數據線,所述第二數據線與所述第二TFT的第二源電極連接,所述第二電極與所述第二TFT的第二漏電極連接,所述第一柵線與所述第二TFT的第二柵電極連接。
3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,還包括第二數據線和第二柵線,所述第二數據線與所述第二TFT的第二源電極連接,所述第二電極與所述第二TFT的第二漏電極連接,所述第二柵線與所述第二TFT的第二柵電極連接。
4.根據權利要求2或3所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二數據線包括第二數據線條和第一連接條,每個所述像素區域內均包括一個第二數據線條,同一列中,相鄰的像素區域中的第二數據線條通過第一連接條連接起來。
5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二數據線條上設置第二過孔和第三過孔,所述第一連接條通過所述第二過孔和第三過孔將同一列中相鄰的像素區域中的第二數據線條連接起來。
6.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二源電極與第二數據線之間通過第二連接條連接,所述第二連接條分別與設置在所述第二源電極上的第五過孔和設置在所述第二數據線上的第四過孔連接;所述第二漏電極和第二電極之間通過第三連接條連接,所述第三連接條分別與設置在所述第二漏電極的第六過孔和設置在第二電極上的第七過孔連接。
7.根據權利要求6所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,第一柵線、第一TFT的第一柵電極、第二柵電極和第二數據線條在同一次構圖工藝中形成。
8.根據權利要求7所述的所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第一TFT的第一源電極和第一漏電極、第二源電極、第二漏電極、第一數據線、第一TFT的溝道以及第二TFT的溝道在同一次構圖工藝中形成。
9.根據權利要求2或3所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二源電極與第二數據線之間通過第二連接條連接,所述第二連接條分別與設置在所述第二源電極上的第五過孔和設置在所述第二數據線上的第四過孔連接;所述第二漏電極和第二電極之間通過第三連接條連接,所述第三連接條分別與設置在所述第二漏電極的第六過孔和設置在第二電極上的第七過孔連接。
10.根據權利要求9所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,第一柵線、第一TFT的第一柵電極、第二柵電極在同一次構圖工藝中形成。
11.根據權利要求10所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,第一TFT的第一源電極和第一漏電極、第二源電極、第二漏電極、第一數據線、第二數據線、第一TFT的溝道以及第二TFT的溝道在同一次構圖工藝中形成。
12.一種TFT-LCD陣列基板制造方法,其特征在于,包括:
步驟1、在基板上形成包括第一柵線、第一數據線、第二電極、第一源電極、第一漏電極、第一柵電極、第二數據線、第二源電極、第二漏電極、第二柵電極、第一TFT溝道、第二TFT溝道的圖形;
步驟2、在完成步驟1的基板上,沉積一層鈍化層薄膜,形成鈍化層過孔;
步驟3、在完成步驟2的基板上,沉積一層透明導電薄膜,形成包括第一電極的圖形,使得所述第二TFT通過所述鈍化層過孔與所述第二電極連接,使得所述第一TFT通過所述鈍化層過孔與所述第一電極連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京京東方光電科技有限公司,未經北京京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910081210.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:二氧化硅包覆摻銀氧化鋅納米晶體的制備方法
- 下一篇:制造光學元件的方法





