[發明專利]FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910080899.1
• 申請日: 2009-03-27
• 公開（公告）號: CN101846857A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 李文兵;樸韓埈
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術，尤其涉及一種邊緣場效應(Fringe?FieldSwitching，簡稱FFS)型薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)陣列基板及其制造方法。

背景技術

FFS模式是一種能夠擴寬視角的液晶驅動模式，FFS型TFT-LCD陣列基板中的像素電極為條形，當加電時，像素電極與公共電極之間形成平行于基板的水平電場。如圖19所示為現有技術FFS型TFT-LCD陣列基板的一種結構平面圖，陣列基板上形成有柵線22和數據線21，相鄰的柵線22和數據線21定義了像素區域，每一個像素區域形成有一個薄膜晶體管(TFT)、條形像素電極24和公共電極25，不加電時，像素電極24和公共電極25之間無電場，液晶分子26不發生偏轉(如圖19中虛線部分液晶分子所示)，當加電時，像素電極24和公共電極25之間形成水平電場，液晶分子沿著電場的方向發生偏轉(如圖19中實線部分液晶分子所示)。如圖20所示為圖19中液晶分子偏轉示意圖，彩膜基板30與陣列基板28對盒設置，中間填充有液晶層，陣列基板28上形成有公共電極25和像素電極24，公共電極25和像素電極24之間是一層絕緣薄膜29，公共電極25和像素電極24之間形成水平電場27，加電后液晶分子26沿著電場方向發生偏轉。

從圖19和圖20中可以看出，加電后，在一個像素區域內，不同位置液晶分子受到的電場作用大小不同，液晶分子偏轉的角度大小也就不同，但是各個液晶分子都是以同一種方式在偏轉，不利于抵消液晶分子的光程差，從而不利于有效地消除顏色漂移(顏色漂移是指從不同視角觀察到的顏色不一致)和擴大視角。

如圖21所示為現有技術FFS型TFT-LCD陣列基板的另一種結構平面圖，圖21與圖20所示陣列基板的區別在于：圖3中將像素電極的圖形做成了“人”字形，加電后，液晶分子可以進行兩種方式的偏轉，即形成了雙疇的液晶工作模式，這樣可以進一步消除顏色漂移和進一步擴大視角。

從理論上來說，疇數增多有利于擴大視角和消除顏色漂移，但是圖21所示的FFS型陣列基板還無法理想地消除顏色漂移和進一步擴大視角。通常，對于常黑模式的液晶顯示器，在不加電時，像素電極和公共電極之間也會有較小的電壓差，對于圖21所示的陣列基板，由于像素電極的圖形為“人”字型，不加電時像素電極和公共電極之間形成的電場方向較為一致，所以液晶分子會有較明顯的偏轉，從而導致漏光現象產生，即不加電時也液晶分子由于微小偏轉導致有光透過。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術存在的問題，提供一種FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠提供多疇液晶工作模式，擴大視角，消除顏色漂移，并能有效消除漏光現象。

為了實現上述目的，本發明提供了一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成有像素電極、公共電極和薄膜晶體管，所述像素電極和/或公共電極上開設有使像素電極與公共電極之間形成具有多個方向水平電場的數個階梯形狀的條形槽，所述條形槽至少包括2個折形結構。

為了實現上述目的，本發明還提供了一種FFS型TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成包括柵線、柵電極、公共電極、數據線、源電極、漏電極、TFT溝道區域和鈍化層過孔的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積一層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，所述像素電極上開設有使像素電極與公共電極之間形成多個方向水平電場的數個階梯形狀的條形槽，所述條形槽至少包括2個折形結構。

本發明提供的FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法，通過將像素電極設置成包括多個階梯形狀的條形槽的圖形，能夠提供多疇液晶工作模式，擴大視角，消除顏色漂移。并且通過將像素電極設置成包括多個階梯形狀的條形槽的圖形，對于常黑模式的液晶顯示器，在不加電時，像素電極與公共電極之間形成包括多個方向的電場，多個方向的電場相互影響，使得液晶分子不致于發生較大角度的偏轉，從而能夠有效消除漏光現象。

下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

圖1a為本發明FFS型TFT-LCD陣列基板第一實施例第一次構圖工藝后的平面圖；

圖1b為圖1a中A1-A1向剖面圖；

圖2a為本發明FFS型TFT-LCD陣列基板第一實施例第一次構圖工藝后的平面圖；

圖2b為圖2a中A2-A2向剖面圖