[發明專利]FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910080899.1
• 申請日: 2009-03-27
• 公開（公告）號: CN101846857A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 李文兵;樸韓埈
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成有像素電極、公共電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述像素電極和/或公共電極上開設有使像素電極與公共電極之間形成具有多個方向水平電場的數個階梯形狀的條形槽，所述條形槽至少包括2個折形結構。

2.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述條形槽開設在像素電極上，包括沿第一方向延伸的階梯形的數個第一像素條形槽和沿第二方向延伸的階梯形的數個第二像素條形槽，數個第一像素條形槽平行設置在像素區域的一側，數個第二像素條形槽平行設置在像素區域的另一側，使第一像素條形槽和第二像素條形槽在像素區域內構成“人”字形結構。

3.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述條形槽分別開設在像素電極和公共電極上，像素電極上的數個條形槽包括沿第一方向延伸的階梯形的數個第一像素條形槽和沿第二方向延伸的階梯形的數個第二像素條形槽，數個第一像素條形槽平行設置在像素區域的一側，數個第二像素條形槽平行設置在像素區域的另一側，使第一像素條形槽和第二像素條形槽在像素區域內構成“人”字形結構；公共電極上的數個條形槽包括沿第一方向延伸的階梯形的數個第一公共條形槽和沿第二方向延伸的階梯形的數個第二公共條形槽，數個第一公共條形槽平行設置在像素區域的一側，數個第二公共條形槽平行設置在像素區域的另一側，使第一公共條形槽和第二公共條形槽在像素區域內構成“人”字形結構；所述像素電極上的條形槽與公共電極上的條形槽間隔設置。

4.根據權利要求2或3所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，從所述第一方向沿順時針到中線方向的夾角等于從所述第二方向沿逆時針到中線方向的夾角。

5.根據權利要求2或3所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，從所述第一方向沿順時針到中線方向的夾角為第一夾角，從所述第二方向沿逆時針到所述中線方向的夾角為第二夾角，所述第一夾角和第二夾角大于0度小于90度。

6.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極和柵線在同一次構圖工藝中或二次構圖工藝中形成。

7.一種FFS型TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成包括柵線、柵電極、公共電極、數據線、源電極、漏電極、TFT溝道區域和鈍化層過孔的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積一層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，所述像素電極上開設有使像素電極與公共電極之間形成多個方向水平電場的數個階梯形狀的條形槽，所述條形槽至少包括2個折形結構。

8.根據權利要求7所述的FFS型TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：

步驟11、在基板上沉積一層透明導電薄膜，采用普通掩模板通過構圖工藝形成公共電極的圖形；

步驟12、在完成步驟11的基板上沉積一層柵金屬薄膜，采用普通掩模板通過構圖工藝形成柵電極和柵線的圖形；

步驟13、在完成步驟12的基板上依次沉積柵絕緣層薄膜、半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜和源漏金屬薄膜，采用半色調或灰色調掩模板通過構圖工藝形成有源層、數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形；

步驟14、在完成步驟13的基板上沉積鈍化層，采用普通掩模板通過構圖工藝在漏電極位置形成鈍化層過孔的圖形。

9.根據權利要求7所述的FFS型TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：

步驟21、在基板上依次沉積一層透明導電薄膜和柵金屬薄膜，采用半色調或灰色調掩模板通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形；

步驟22、在完成步驟21的基板上依次沉積柵絕緣層薄膜、半導體層薄膜、摻雜半導體層薄膜和源漏金屬薄膜，采用半色調或灰色調掩模板通過構圖工藝形成有源層、數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形；

步驟23、在完成步驟22的基板上沉積鈍化層薄膜，采用普通掩模板通過構圖工藝在漏電極位置形成鈍化層過孔的圖形。