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[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法有效

專利信息
申請號: 200910080225.1 申請日: 2009-03-16
公開(公告)號: CN101840116A 公開(公告)日: 2010-09-22
發明(設計)人: 王崢 申請(專利權)人: 北京京東方光電科技有限公司
主分類號: G02F1/1362 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/52
代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 代理人: 劉芳
地址: 100176 北*** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: tft lcd 陣列 及其 制造 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器結構及其制造方法,尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

近年來,隨著數字化電視的普及,傳統的CRT顯示由于數字化困難以及體積大、重量大、有輻射等缺點,逐漸被新一代顯示技術替代。有代表性的新一代顯示技術包括PDP、OLED、LCD等。其中,薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT-LCD)具有重量輕、體積小、功耗低、無輻射、顯示分辨率高等優點,逐漸成為主流產品。

TFT-LCD的主體結構包括對盒的陣列基板和彩膜基板,陣列基板上形成有柵線、數據線以及以矩陣方式排列的薄膜晶體管和像素電極,柵線上施加的控制信號使數據線上的信號電壓傳送到像素電極上,通過控制液晶的偏轉實現顯示所需畫面。由于TFT-LCD生產制作工藝復雜,當制備的產品偏離設計要求時將嚴重影響TFT-LCD的顯示質量。例如,在制作TFT-LCD的陣列基板時,與陣列基板的柵線同時形成檔光條,檔光條的作用是擋在像素電極的周邊,起到防止漏光的功能;檔光條上還通入公共電壓,作為公共電極使用。在這種傳統的像素結構中,由于在數據線和像素電極之間存在鈍化層,會產生寄生電容,這樣,當柵線開啟時,數據線開始對像素電極進行充電,該數據線上連接的所有像素電極都會通過寄生電容再接收到充電電壓,從而使得像素電極上的顯示電壓出現微小的變化,反映到顯示畫面上就會有沿著數據線方向的“殘像”。另外,在這種傳統的像素結構中,在像素電極上方的四周有黑矩陣,可以保護液晶面板中的器件不受外界光的影響,且由于有檔光條的遮光作用,從液晶顯示面板的正向方向看,像素電極的周圍不會出現漏光的現象,但是從斜向方向看,會發現漏光的現象比正向時要大。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法,有效解決現有TFT-LCD存在的畫面顯示的“殘像”、漏光的現象等缺陷。

為了實現上述目的,本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板,包括形成在基板上的柵線和數據線,所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管,所述像素區域內形成有第一擋光條,所述第一擋光條的上方形成有第二擋光條。

所述第一擋光條與柵線同層,并在同一次構圖工藝中形成;所述第二擋光條與數據線同層,并在同一次構圖工藝中形成。如果陣列基板采用四次構圖工藝形成,所述第二檔光條和所述數據線的下方還形成有半導體薄膜和摻雜半導體薄膜。所述第一擋光條與第二擋光條通過連接條連接。

具體地,在同一像素區域內,所述第一擋光條和第二擋光條通過第一連接條相連接,在上下相鄰的兩個像素區域內,兩個第一擋光條通過第二連接條相連接,在左右相鄰的兩個像素區域內,所述第一擋光條和第二擋光條通過第三連接條相連接。在所述像素區域的一側,所述第二擋光條的第一端上的鈍化層上開設有第一過孔,所述第一擋光條鄰近所述第一過孔的第一端上的柵絕緣層和鈍化層上開設有第二過孔,所述第一連接條通過所述第一過孔和第二過孔使所述第一擋光條和第二擋光條連接;在所述像素區域的一側,所述第一擋光條的第二端上的柵絕緣層和鈍化層上開設有第三過孔,所述第二連接條通過所述第二過孔和第三過孔使上下相鄰的兩個像素區域的兩個第一擋光條連接;在與位于所述像素區域的一側的所述第一連接條相對的所述像素區域的另一側,所述第二擋光條的第二端上的鈍化層上開設有第四過孔,所述第三連接條通過所述第三過孔和第四過孔使左右相鄰的兩個像素區域的所述第一擋光條和第二擋光條連接。所述第一連接條、第二連接條和第三連接條與所述像素電極同層并在同一次構圖工藝中形成。

另外,所述公共電極線與第一擋光條為相互連接的一體結構。所述第二擋光條的寬度為所述第一擋光條寬度的40%~60%。

為了實現上述目的,本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法,包括:

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括柵線、柵電極、公共電極線和第一擋光條的圖形,其中公共電極線與第一擋光條為相互連接的一體結構;

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、漏電極、源電極、TFT溝道區域和第二擋光條的圖形,所述第二擋光條位于所述第一擋光條的上方;

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層,通過構圖工藝形成數個過孔的圖形;

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