[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910080225.1
• 申請日: 2009-03-16
• 公開（公告）號: CN101840116A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 王崢
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/52
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，所述像素區域內形成有第一擋光條，其特征在于，所述第一擋光條的上方形成有第二擋光條。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一擋光條與柵線同層，并在同一次構圖工藝中形成；所述第二擋光條與數據線同層，并在同一次構圖工藝中形成。

3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二檔光條和所述數據線的下方還形成有半導體薄膜和摻雜半導體薄膜。

4.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一擋光條與第二擋光條通過連接條連接。

5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，在同一像素區域內，所述第一擋光條和第二擋光條通過第一連接條相連接，在上下相鄰的兩個像素區域內，兩個第一擋光條通過第二連接條相連接，在左右相鄰的兩個像素區域內，所述第一擋光條和第二擋光條通過第三連接條相連接。

6.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，在所述像素區域的一側，所述第二擋光條的第一端上的鈍化層上開設有第一過孔，所述第一擋光條鄰近所述第一過孔的第一端上的柵絕緣層和鈍化層上開設有第二過孔，所述第一連接條通過所述第一過孔和第二過孔使所述第一擋光條和第二擋光條連接。

7.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，在所述像素區域的一側，所述第一擋光條的第二端上的柵絕緣層和鈍化層上開設有第三過孔，所述第二連接條通過所述第二過孔和第三過孔使上下相鄰的兩個像素區域的兩個第一擋光條連接。

8.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，在與位于所述像素區域的一側的所述第一連接條相對的所述像素區域的另一側，所述第二擋光條的第二端上的鈍化層上開設有第四過孔，所述第三連接條通過所述第三過孔和第四過孔使左右相鄰的兩個像素區域的所述第一擋光條和第二擋光條連接。

9.根據權利要求5-8任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一連接條、第二連接條和第三連接條與所述像素電極同層并在同一次構圖工藝中形成。

10.根據權利要求1-8任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，公共電極線與所述第一擋光條為相互連接的一體結構。

11.根據權利要求1-8任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二擋光條的寬度為所述第一擋光條寬度的40％～60％。

12.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵線、柵電極、公共電極線和第一擋光條的圖形，其中公共電極線與第一擋光條為相互連接的一體結構；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、漏電極、源電極、TFT溝道區域和第二擋光條的圖形，所述第二擋光條位于所述第一擋光條的上方；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成數個過孔的圖形；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極和連接條的圖形，所述像素電極通過所述數個過孔之一與所述漏電極連接，所述連接條通過所述過孔使所述第一檔光條與第二檔光條連接。

13.根據權利要求12所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2中形成的所述第二擋光條的寬度為所述第一擋光條寬度的40％～60％。

14.根據權利要求12所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，

所述步驟3具體包括：在所述像素區域的一側，所述第二擋光條的第一端上的鈍化層上開設有第一過孔，所述第一擋光條鄰近所述第一過孔的第一端上的柵絕緣層和鈍化層上開設有第二過孔；

所述步驟4具體包括：通過構圖工藝形成包括像素電極和第一連接條的圖形，所述第一連接條通過所述第一過孔和第二過孔使所述第一擋光條和第二擋光條連接。