[發(fā)明專利]一種單電子存儲器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910080195.4
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101521181A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈銳;李維龍;陳晨;朱晨昕;李昊峰;張培文;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 王建國

1.一種單電子存儲器的制備方法，其特征在于，該方法由如下步驟組成：

(1)清洗SOI襯底；

(2)在SOI襯底上通過電子束曝光制作源、漏電極和導(dǎo)電溝道的膠圖形；

(3)通過干法刻蝕或濕法刻蝕將膠圖形轉(zhuǎn)移到SOI襯底的頂層硅上；

(4)通過光學(xué)光刻和剝離方式制作源、漏接觸電極；

(5)通過電子束蒸發(fā)技術(shù)蒸鍍一薄層硅；

(6)通過快速熱退火方法制備硅量子點(diǎn)；

(7)通過電子束蒸發(fā)方法和剝離方式制作柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中的SOI襯底中頂層硅厚度為49-51nm，埋層氧化層厚度為365-385nm，頂層硅電阻率＜0.01Ωcm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中所用電子束光刻膠為負(fù)膠HSQ或正膠Zep520。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中干法刻蝕為用SF₆和CHF₃的混合氣體進(jìn)行等離子體刻蝕；濕法刻蝕所用刻蝕液為HNO₃、NH₄F和H₂O的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中刻蝕深度為50-60nm，刻蝕深度通過刻蝕時(shí)間來控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中的源、漏接觸電極為Al/Au電極，厚度為160-180nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中薄層硅的厚度為9-11nm。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(6)中硅量子點(diǎn)顆粒的大小為10-20nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電子存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟(7)中制作的柵電極柵寬為20-40nm，厚為80-100nm，材料為Au或Al金屬。?