[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200910079295.5
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101825816A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 黃應龍;金熙哲
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，屬于液晶顯示器制造技術領域。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，以下簡稱：TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低以及無輻射等特點而被廣泛應用。

TFT-LCD是由對盒的陣列基板和彩膜基板構成。其中，形成在陣列基板上的柵線和數據線相互交叉的區域即為像素區域。圖1為現有技術TFT-LCD陣列基板的平面結構示意圖，如圖1所示，所反映的是上下相鄰兩個像素區域的結構，該TFT-LCD的主體結構包括柵線11、公共電極線12、數據線13、像素電極14、擋光條以及薄膜晶體管，相互垂直的柵線11和數據線13定義了像素區域，薄膜晶體管和像素電極14形成在像素區域內。如圖1所示，對于每個像素區域來說，擋光條與公共電極線12形成“∏”型擋光結構。由于公共電極線12為金屬材質，具有不透光性，因此，現有的TFT-LCD的開口率亮度較低，從而導致顯示亮度較低。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，在不影響顯示質量前提下，可以有效增大開口率，提高顯示亮度。

為實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數據線和公共電極線，所述柵線和所述數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線。

所述上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線具體為：

對于兩個上下相鄰的像素區域，一個像素區域的柵線位于該像素區域的上側，另一個像素區域的柵線位于該像素區域的下側，且夾設兩個像素電極的兩個柵線之間設置有共用的公共電極線。

TFT-LCD陣列基板還包括與所述公共電極線連接的第一擋光條和第二擋光條。

所述公共電極線與所述上下相鄰兩個像素區域的柵線平行，所述第一擋光條和第二擋光條與數據線平行，并位于所述上下相鄰兩個像素區域的兩側。

所述公共電極線與所述第一擋光條和所述第二擋光條在同一次構圖工藝中形成。

為了實現上述目的，本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵線、柵電極和公共電極線的圖形，且上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、漏電極、源電極和TFT溝道的圖形；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

所述步驟1中還同時形成與公共電極線連接的第一擋光條和第二擋光條，所述第一擋光條和第二擋光條與數據線平行，并位于所述上下相鄰兩個像素區域的兩側。

所述步驟2包括：

在完成步驟1的基板上，采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積源漏金屬薄膜；

在源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；

采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠半保留區域，光刻膠完全保留區域對應于數據線、源電極和漏電極圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于源電極與漏電極之間TFT溝道區域圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；顯影處理后，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區域的光刻膠厚度變薄；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的源漏金屬薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，形成包括有源層和數據線的圖形；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉半曝光區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導體薄膜，使該區域的半導體薄膜暴露出來，形成包括源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

所述步驟2包括：

在完成步驟1的基板上，采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；