[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200910079295.5
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101825816A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 黃應龍;金熙哲
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數據線和公共電極線，所述柵線和所述數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線具體為：

對于兩個上下相鄰的像素區域，一個像素區域的柵線位于該像素區域的上側，另一個像素區域的柵線位于該像素區域的下側，且夾設兩個像素電極的兩個柵線之間設置有共用的公共電極線。

3.根據權利要求1或2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括與所述公共電極線連接的第一擋光條和第二擋光條。

4.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述上下相鄰兩個像素區域的柵線平行，所述第一擋光條和第二擋光條與數據線平行，并位于所述上下相鄰兩個像素區域的兩側。

5.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述第一擋光條和所述第二擋光條在同一次構圖工藝中形成。

6.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵線、柵電極和公共電極線的圖形，且上下相鄰兩個像素區域共用公共電極線；

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括有源層、數據線、漏電極、源電極和TFT溝道的圖形；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的上方；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

7.根據權利要求6所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1中還同時形成與公共電極線連接的第一擋光條和第二擋光條，所述第一擋光條和第二擋光條與數據線平行，并位于所述上下相鄰兩個像素區域的兩側。

8.根據權利要求6或7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

在完成步驟1的基板上，采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積源漏金屬薄膜；

在源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；

采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區域、光刻膠完全去除區域和光刻膠半保留區域，光刻膠完全保留區域對應于數據線、源電極和漏電極圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于源電極與漏電極之間TFT溝道區域圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；顯影處理后，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區域的光刻膠厚度變薄；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的源漏金屬薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，形成包括有源層和數據線的圖形；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉半曝光區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導體薄膜，使該區域的半導體薄膜暴露出來，形成包括源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

9.根據權利要求6或7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

在完成步驟1的基板上，采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

采用普通掩模板通過構圖工藝形成包括有源層的圖形；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積源漏金屬薄膜；

采用普通掩模板通過構圖工藝形成包括數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域的圖形。