[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法有效

申請號：	200910079290.2	申請日：	2009-03-06
公開（公告）號：	CN101826532A	公開（公告）日：	2010-09-08
發明（設計）人：	張彌	申請（專利權）人：	北京京東方光電科技有限公司
主分類號：	H01L27/12	分類號：	H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/20;H01L21/027;G02F1/1362
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摘要：
搜索關鍵詞：	tft lcd 陣列及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器結構及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。TFT-LCD的主體結構包括對盒的陣列基板和彩膜基板，其中陣列基板上形成有柵線、數據線以及以矩陣方式排列的薄膜晶體管和像素電極。

圖32為現有技術TFT-LCD陣列基板的結構示意圖，為典型背溝道的底柵結構。如圖32所示，柵電極2形成在基板1上，并與柵線連接；柵絕緣層3形成在柵電極2上并覆蓋整個基板1，有源層(半導體層4和摻雜半導體層5)形成在柵絕緣層3上并位于柵電極2的上方；源電極6的一端形成在有源層上，另一端與數據線連接，漏電極7的一端形成在有源層上，另一端通過鈍化層8上開設的鈍化層過孔與像素電極13連接，源電極6與漏電極7之間形成TFT溝道區域，TFT溝道區域的摻雜半導體層5被完全刻蝕掉，暴露出半導體層4；鈍化層8形成在數據線、源電極6和漏電極7上并覆蓋整個基板1，在漏電極7位置開設有鈍化層過孔9。像素電極13形成在鈍化層8上，通過鈍化層過孔9與漏電極7連接。該結構形式的TFT-LCD陣列基板通常采用五次構圖工藝(5-Mask)制備，主要工藝包括：形成柵電極和柵線圖形；形成柵絕緣層和有源層圖形；形成數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域圖形；形成鈍化層和鈍化層過孔圖形；形成像素電極圖形。工作時，向柵電極通入開啟電壓，半導體層形成導電通道使源電極和漏電極導通，將數據線上的數據電壓施加在像素電極上。

實際使用表明，現有技術這種采用各層縱向疊加的結構導致內部段差較大，容易使后續沉積的薄膜產生斷裂。此外，這種縱向疊加的結構增加了盒厚，不僅容易引起其它不良，而且降低了液晶的響應速度。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，不僅有效降低內部段差，而且減小盒厚，提高液晶的響應速度。

為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

柵電極，形成在基板上，與柵線連接；

柵絕緣層，形成在柵電極上并覆蓋整個基板；

源電極，形成在柵絕緣層上，一端位于柵電極的上方，另一端與數據線連接；

漏電極，形成在柵絕緣層上，一端位于柵電極的上方，另一端與像素電極連接；

摻雜半導體層和半導體層，以橫向排布方式形成在源電極與漏電極之間；

鈍化層，形成在上述結構圖形上，并覆蓋整個基板。

所述像素電極可以形成在柵絕緣層上，并與漏電極直接連接。進一步地，所述像素電極與數據線在同一次構圖工藝中形成。

所述像素電極也可以形成在鈍化層上，并通過鈍化層上開設的鈍化層過孔與漏電極連接。