[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910079290.2
• 申請(qǐng)日: 2009-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN101826532A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張彌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/20;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵電極，形成在基板上，與柵線連接；

柵絕緣層，形成在柵電極上并覆蓋整個(gè)基板；

源電極，形成在柵絕緣層上，一端位于柵電極的上方，另一端與數(shù)據(jù)線連接；

漏電極，形成在柵絕緣層上，一端位于柵電極的上方，另一端與像素電極連接；

摻雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，以橫向排布方式形成在源電極與漏電極之間；

鈍化層，形成在上述結(jié)構(gòu)圖形上，并覆蓋整個(gè)基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極形成在柵絕緣層上，并與漏電極直接連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極與數(shù)據(jù)線在同一次構(gòu)圖工藝中形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極形成在鈍化層上，并通過鈍化層上開設(shè)的鈍化層過孔與漏電極連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，摻雜半導(dǎo)體層形成在源電極與漏電極之間溝道區(qū)域的內(nèi)壁上，外表面與源電極和漏電極的端部接觸，半導(dǎo)體層與摻雜半導(dǎo)體層的內(nèi)表面接觸。

6.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟11、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；

步驟12、在完成步驟11的基板上沉積柵絕緣層、透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和像素電極的圖形，所述漏電極與像素電極直接連接；

步驟13、在完成步驟12的基板上沉積摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過構(gòu)圖工藝在源電極和漏電極之間形成橫向設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層圖形；

步驟14、在完成步驟13的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜，通過構(gòu)圖工藝在源電極和漏電極之間形成橫向設(shè)置的半導(dǎo)體層圖形；

步驟15、在完成步驟14的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟12包括：

在完成步驟11的基板上，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積柵絕緣層；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜；

在源漏金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；

采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；其中光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線和源電極的圖形，源電極與數(shù)據(jù)線連接；

通過灰化工藝完全去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成包括漏電極和像素電極的圖形，漏電極與像素電極直接連接；

剝離剩余的光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟12包括：

在完成步驟11的基板上，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積柵絕緣層；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積透明導(dǎo)電薄膜；

采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形；

在完成前述步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜；

采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，漏電極與像素電極直接連接。

9.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟21、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；

步驟22、在完成步驟21的基板上沉積柵絕緣層和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形；

步驟23、在完成步驟22的基板上沉積摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過構(gòu)圖工藝在源電極與漏電極之間形成橫向設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層圖形；

步驟24、在完成步驟23的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜，通過構(gòu)圖工藝在源電極與漏電極之間形成橫向設(shè)置的半導(dǎo)體層圖形；

步驟25、在完成步驟24的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在漏電極位置形成包括鈍化層過孔的圖形；

步驟26、在完成步驟25的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。