[發明專利]陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法有效
| 申請號: | 200910078872.9 | 申請日: | 2009-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN101826488A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 樸相鎮 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L21/311;H01L21/78;H01L27/12;G02F1/1362 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制造 方法 液晶面板 | ||
技術領域
本發明屬于液晶顯示裝置領域,特別涉及在切割過程中能夠防止柵絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開裂的陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法。
背景技術
液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display,簡稱為LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat?Panel?Display,簡稱為FPD)。
根據驅動液晶的電場方向,液晶顯示裝置分為垂直電場型液晶顯示裝置和水平電場型液晶顯示裝置。垂直電場型液晶顯示裝置包括:扭曲向列(TwistNematic,簡稱為TN)型液晶顯示裝置;水平電場型液晶顯示裝置包括:邊界電場切換(Fringe?Field?Switching,簡稱為FFS)型液晶顯示裝置,共平面切換(In-Plane?Switching,簡稱為IPS)型液晶顯示裝置。
圖1a為現有液晶面板的平面示意圖。圖1b為圖1a中A-A1切面示意圖。如圖1a和圖1b所示,一個母板包括了第一液晶面板、第二液晶面板、第三液晶面板和第四液晶面板。在切割區域內通過切割方法對母板進行切割,最終形成4個液晶面板。其中液晶面板由基板1和彩膜基板構成。在基板1上設有柵絕緣薄膜11,在柵絕緣薄膜11上設有數據線12,在數據線12上方設有鈍化薄膜13。
圖2a為現有的液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損示意圖。圖2b為現有的液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開裂示意圖。如圖2a和圖2b所示,進行切割時,由于現有的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜容易被切碎,從而導致了柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損即開裂,則需要適當的減少密封區域(sealing?area)的寬度,這將會影響密封的質量。如果對密封區域不進行變化,則會增加非顯示區域的面積。
在制造液晶面板的過程中,進行切割時若出現了柵絕緣薄膜和鈍化薄膜開裂的現象,則露出的數據線在穩定性測試過程中將會被腐蝕,從而有可能導致斷線。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法,以克服現有技術中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開裂的缺陷。
為實現上述目的,本發明提供了一種陣列基板的制造方法,包括:提供一基板,所述基板包括多個液晶面板區域和多個切割區域,所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間,以隔離每個所述液晶面板區域;在所述基板上形成柵線和柵電極;在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕道;在形成有所述數據線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜,并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔;在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極;在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
其中,所述在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為:在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔的同時,蝕刻在所述基板的切割區域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
其中,所述在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔,并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極具體為:采用雙調掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔,并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上通過剝離工藝形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極。
為實現上述目的,本發明還提供了一種陣列基板,包括多個液晶面板區域和多個切割區域,所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間,以隔離每個所述液晶面板區域,所述液晶面板區域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜,所述切割區域露出基板的表面。
為實現上述目的,本發明還提供了一種液晶面板的制造方法,包括陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法,其中,所述陣列基板的制造方法包括:提供一基板,所述基板包括多個液晶面板區域和多個切割區域,所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間,以隔離每個所述液晶面板區域;在所述基板上形成柵線和柵電極;在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜,并且在所述柵電極上形成有源層、數據線、源電極、漏電極和溝道;在形成有所述數據線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜,并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔;在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極;在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





