[發明專利]陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法

有效

• 申請號: 200910078872.9
• 申請日: 2009-03-04
• 公開（公告）號: CN101826488A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 樸相鎮
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/311;H01L21/78;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種陣列基板的制造方法，包括：

提供一基板，所述基板包括多個液晶面板區域和多個切割區域，所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間，以隔離每個所述液晶面板區域；

在所述基板上形成柵線和柵電極；

在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述柵電極上形成有源層、數據線、源電極、漏電極和溝道；

在形成有所述數據線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔；

在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極；

其特征在于，在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為：

在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔的同時，蝕刻在所述基板的切割區域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔，并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極具體為：

采用雙調掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔，并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上通過剝離工藝形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極。

4.一種陣列基板，包括多個液晶面板區域和多個切割區域，所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間，以隔離每個所述液晶面板區域，其特征在于，所述液晶面板區域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜，所述切割區域露出基板的表面。

5.一種液晶面板的制造方法，包括陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中，所述陣列基板的制造方法包括：

提供一基板，所述基板包括多個液晶面板區域和多個切割區域，所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間，以隔離每個所述液晶面板區域；

在所述基板上形成柵線和柵電極；

在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述柵電極上形成有源層、數據線、源電極、漏電極和溝道；

在形成有所述數據線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔；

在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極；

其特征在于，在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。

6.根據權利要求5所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割區域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為：在在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔的同時，蝕刻在所述基板的切割區域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。

7.根據權利要求5所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔，并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極具體為：

采用雙調掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過孔，并且在形成有所述鈍化層過孔的所述基板上通過剝離工藝形成通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接的像素電極。

8.一種液晶面板，包括：陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括多個液晶面板區域和多個切割區域，所述切割區域位于相鄰的所述液晶面板區域之間，以隔離每個所述液晶面板區域，其特征在于，所述液晶面板區域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜，所述切割區域露出基板的表面。