[發明專利]一種調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法

無效

• 申請號: 200910077723.0
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101807526A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 尚海平;徐秋霞
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1：采用兩步鎳-自對準硅化物工藝形成一硅化鎳膜；

步驟2：對該硅化鎳膜進行低能高劑量雜質注入；

步驟3：對該硅化鎳膜進行快速熱退火。

2.根據權利要求1所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，步驟1中所述采用兩步鎳-自對準硅化物工藝形成一硅化鎳膜，具體包括：

首先，采用氫氟酸/異丙醇溶液對硅片進行清洗；然后，在濺射氮化鈦/鎳膜前對硅片進行真空退火處理；接著，在硅片上濺射氮化鈦/鎳復合金屬膜；最后，采用鎳-自對準硅化物工藝形成一硅化鎳膜。

3.根據權利要求2所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，所述采用氫氟酸/異丙醇溶液對硅片進行清洗，具體包括：

在常規清洗后，在氫氟酸/異丙醇溶液中清洗，氫氟酸/異丙醇溶液配比(體積比)為：氫氟酸∶異丙醇∶去離子水＝37.5ml∶6ml∶3000ml，在室溫下浸漬40秒。

4.根據權利要求2所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，所述在濺射氮化鈦/鎳膜前對硅片進行真空退火處理，具體包括：

本底真空度8×10^-7Torr，襯底加熱，加熱至300℃，恒溫10分鐘，然后降溫。

5.根據權利要求2所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，所述在硅片上濺射氮化鈦/鎳復合金屬膜，具體包括：

先濺射鎳膜5～30nm，再濺射氮化鈦膜5～30nm，工作壓力都為1～5×10^-3Torr，濺鎳的工藝氣體為氬氣，濺射功率為500～1000W；濺氮化鈦的工藝氣體為氬氣和氮氣的混合氣體，濺射功率為500～1000W。

6.根據權利要求2所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，所述采用鎳-自對準硅化物工藝形成-硅化鎳膜，具體包括：

第一次快速熱退火溫度240～340℃，時間20～50秒，氮氣流量為2～6slm；接著進行濕法選擇腐蝕工藝，條件：硫酸∶雙氧水＝(3～5)∶1(體積比)，溫度120℃，時間10～30分鐘；然后進行第二次溫度較高的快速熱退火，使富鎳相硅化物相變形成一鎳化硅，溫度450～580℃，時間20～40秒，氮氣流量為2～6slm。

7.根據權利要求1所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，步驟2中所述對該硅化鎳膜進行低能高劑量雜質注入，注入雜質為B、BF₂、P或As中的任一種或多種，注入能量為5～25Kev，注入劑量為1×10¹³至5×10¹⁵cm^-2。

8.根據權利要求1所述的調節金屬硅化物源/漏肖特基勢壘高度的方法，其特征在于，步驟3中所述對該硅化鎳膜進行快速熱退火，快速熱退火條件為：溫度400℃至800℃，時間為20秒至120秒。