[發明專利]一種控制溶液晶體生長速率的方法無效
| 申請號： | 200910077647.3 | 申請日： | 2009-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN101503818A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發明（設計）人： | 宋友庭;陳萬春;陳小龍;王皖燕 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B7/04 | 分類號： | C30B7/04 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 尹振啟 |
| 地址： | 100190北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 控制 溶液 晶體生長 速率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種控制溶液晶體生長速率的方法，其特征在于，該方法使用由不銹鋼篩網-疏水型的微孔濾膜-不銹鋼篩網組成的三層結構作為結晶器頂蓋的密封件，利用其透氣、不透水的功能，并通過溶液蒸發法來控制晶體生長的速率。
2.如權利要求1所述的控制溶液晶體生長速率的方法，其特征在于，所述疏水型的微孔濾膜的孔徑等于或小于10微米。
3.如權利要求1所述的控制溶液晶體生長速率的方法，其特征在于，所述疏水型的微孔濾膜的材質為聚四氟乙烯。
4.如權利要求1所述的控制溶液晶體生長速率的方法，其特征在于，所述控制溶液晶體生長速率的方法中晶體生長溶液配置方法為：配制所需物質的室溫近飽和溶液，將所需物質溶解在設定體積的水中，升溫并不斷攪拌使其全部溶解，在高于飽和溫度10℃下進行過熱處理24h，然后降溫制成室溫下的近飽和溶液。
5.如權利要求1所述的控制溶液晶體生長速率的方法，其特征在于，所述控制溶液晶體生長速率的方法中，所述疏水型的微孔濾膜和不銹鋼篩網組成的三層結構和吸附劑配合使用，并結合晶體生長液的溫度、籽晶的截面積、疏水型的微孔濾膜的孔徑大小、面積大小和吸附劑的用量來控制晶體生長速率。
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