[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910077487.2
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101807586A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。?

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。對于TFT-LCD來說，陣列基板以及制造工藝決定了其產品性能、成品率和價格。為了有效地降低TFT-LCD的價格、提高成品率，TFT-LCD陣列基板的制造工藝逐步得到簡化，從開始的七次構圖(7mask)工藝已經發展到基于狹縫光刻技術的四次構圖(4mask)工藝。?

目前，TFT-LCD陣列基板的制造是通過一組構圖工藝形成薄膜圖形來完成，一次構圖工藝形成一層薄膜圖形?，F在技術采用的四次構圖工藝技術是利用半色調或灰色調掩模板技術，通過一次構圖工藝完成有源層、數據線、源電極、漏電極和TFT溝道區域圖形的制作。由于每次構圖工藝均需要把掩模板的圖形轉移到薄膜圖形上，而每一層薄膜圖形都需要精確地罩在另一層薄膜圖形上，因此在TFT-LCD陣列基板制作過程中，所用掩模板的數量越少，生產時間越少，生產效率越高，生產成本就越低。?

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，采用三次構圖工藝實現TFT-LCD陣列基板的制造，縮短生產時間，提高生產效率，降低生產成本。?

為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括形成在基板上的柵電極、位于柵電極上方的半導體層、位于半導體層上的源電極和漏電極，所述半導體層與源電極和漏電極接觸的表面為經過表面處理的歐姆接觸區域，所述源電極和漏電極之間的半導體層上覆蓋有阻擋層；所述像素電極形成在柵絕緣層上，并與漏電極直接連接。?

所述表面處理為采用PH₃氣體的P化處理，所述P化處理的射頻功率為5KW～12KW，氣壓為100mT～400mT，氣體的流量為1000～4000sccm。?

所述像素電極與數據線、源電極和漏電極在同一次構圖工藝中形成。?

所述阻擋層與半導體層在同一次構圖工藝中形成。?

為了實現上述目的，本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：?

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過第一次構圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；?

步驟2、在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層和阻擋層，通過第二次構圖工藝形成半導體層圖形和阻擋層圖形，所述阻擋層圖形位于所述半導體層圖形之上，對所述阻擋層圖形以外的半導體層進行表面處理，形成歐姆接觸區域；?

步驟3、在完成步驟2的基板上依次沉積透明導電薄膜和源漏金屬薄膜，通過第三次構圖工藝形成包括數據線、源電極、漏電極、TFT溝道區域和像素電極的圖形，所述源電極和漏電極通過透明導電薄膜與所述半導體層的歐姆接觸區域連接，所述阻擋層覆蓋在所述TFT溝道區域的半導體層上，所述像素電極與源電極直接連接。?

所述步驟2包括：?

步驟21、在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層和阻擋層；?

步驟22、在所述阻擋層上涂敷一層光刻膠；?

步驟23、采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區域、光刻膠完全保留區域和光刻膠半保留區域，其中光刻膠完全保留區域對應于阻擋層圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于半導體圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；顯影處理后，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區域的光刻膠厚度變?。?

步驟24、通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的阻擋層和半導體層，暴露出該區域的柵絕緣層，形成半導體圖形；?

步驟25、通過灰化工藝，完全去除掉光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的阻擋層；?

步驟26、通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區域的阻擋層，暴露出半導體層，形成阻擋層圖形；?

步驟27、對所述阻擋層圖形以外的半導體層進行表面處理，使暴露出的半導體層表面形成歐姆接觸區域；?

步驟28、剝離剩余的光刻膠。?