[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910077487.2
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101807586A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過第一次構圖工藝形成包括柵線 和柵電極的圖形；

步驟2、在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層和阻擋層， 通過第二次構圖工藝形成半導體層圖形和阻擋層圖形，所述阻擋層圖形位于 所述半導體層圖形之上，對所述阻擋層圖形以外的半導體層進行表面處理， 形成歐姆接觸區域；所述表面處理為采用PH3氣體的P化處理，所述P化處 理的射頻功率為5KW～12KW，氣壓為100mT～400mT，氣體的流量為1000～ 4000sccm；

步驟3、在完成步驟2的基板上依次沉積透明導電薄膜和源漏金屬薄膜， 通過第三次構圖工藝形成包括數據線、源電極、漏電極、TFT溝道區域和像 素電極的圖形，所述源電極和漏電極通過透明導電薄膜與所述半導體層的歐 姆接觸區域連接，所述阻擋層覆蓋在所述TFT溝道區域的半導體層上，所述 像素電極與源電極直接連接；

其中，所述步驟2包括：

步驟21、在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層和阻擋層；

步驟22、在所述阻擋層上涂敷一層光刻膠；

步驟23、采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成 光刻膠完全去除區域、光刻膠完全保留區域和光刻膠半保留區域，其中光刻 膠完全保留區域對應于阻擋層圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于半導 體圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；顯影處 理后，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區域的 光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區域的光刻膠厚度變薄；

步驟24、通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的阻擋層 和半導體層，暴露出該區域的柵絕緣層，形成半導體圖形；

步驟25、通過灰化工藝，完全去除掉光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露 出該區域的阻擋層；

步驟26、通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區域的阻擋層， 暴露出半導體層，形成阻擋層圖形；

步驟27、對所述阻擋層圖形以外的半導體層進行表面處理，使暴露出的 半導體層表面形成歐姆接觸區域；

步驟28、剝離剩余的光刻膠。