[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910077350.7
• 申請(qǐng)日: 2009-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN101807549A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 贠向南;金基用;魯成祝;曲勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。?

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前，現(xiàn)有技術(shù)制造TFT-LCD陣列基板主要采用五次或四次構(gòu)圖工藝。五次構(gòu)圖工藝主要包括：柵線和柵電極構(gòu)圖、有源層構(gòu)圖、源/漏電極構(gòu)圖、過(guò)孔構(gòu)圖和像素電極構(gòu)圖。四次構(gòu)圖工藝是在五次構(gòu)圖工藝基礎(chǔ)上，利用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，將有源層構(gòu)圖與源/漏電極構(gòu)圖合并成一個(gè)構(gòu)圖工藝。?

現(xiàn)有技術(shù)的半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板設(shè)置有完全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域，不透光區(qū)域?qū)?yīng)于源電極和漏電極圖形所在區(qū)域，半透光區(qū)域?qū)?yīng)于TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域，完全透光區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域。實(shí)際曝光分析表明，當(dāng)不透光區(qū)域外側(cè)的紫外線射入TFT溝道區(qū)域時(shí)，會(huì)造成TFT溝道區(qū)域的光刻膠過(guò)薄，而且由于從不透光區(qū)域邊緣射入TFT溝道區(qū)域的紫外線不是平行光，還會(huì)造成TFT溝道區(qū)域的光刻膠出現(xiàn)變形。過(guò)薄或變形的光刻膠使后續(xù)連續(xù)刻蝕源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜時(shí)導(dǎo)致TFT溝道區(qū)域開路或短路不良，造成良品率下降。目前，現(xiàn)有技術(shù)為了克服TFT溝道區(qū)域開路或短路不良，均采用增加源電極寬度和漏電極寬度的方法，使不透光區(qū)域外側(cè)的紫外線不會(huì)射入TFT溝道區(qū)域，但該方法增加了薄膜晶體管的尺寸，減小了有效透光區(qū)域，降低了開口率。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，在保證TFT溝道區(qū)域性能的前提下，減小薄膜晶體管的尺寸，提高開口率。?

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：?

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形；?

步驟2、在完成步驟1的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，采用帶有半透膜的半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的圖形，所述形成的源電極和漏電極的寬度為2.8μm～3.0μm；?

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過(guò)孔的圖形，所述鈍化層過(guò)孔位于漏電極的上方；?

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與漏電極連接；?

其中，所述第一半透光膜與所述第二半透光膜的厚度相同，但透過(guò)率不同；或所述第一半透光膜與所述第二半透光膜的材料相同，但厚度不同。?

所述步驟2包括：?

步驟21、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；?

步驟22、采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜；?

步驟23、在所述源漏金屬薄膜上涂覆一層正性光刻膠；?

步驟24、采用帶有半透膜的半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成未曝光區(qū)域、半曝光區(qū)域、復(fù)合曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域，其中，未曝光區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形所在區(qū)域，半曝光區(qū)域?qū)?yīng)于源電極和漏電極之間TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域；復(fù)合曝光區(qū)域?qū)?yīng)于源電極外側(cè)和漏電極外側(cè)所在區(qū)域；完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外區(qū)域；?

步驟25、顯影處理后，未曝光區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，形成光刻膠完全保留區(qū)域；半曝光區(qū)域的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠半保留區(qū)域；復(fù)?合曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域；?

步驟26、通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成數(shù)據(jù)線和有源層圖形；?

步驟27、通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜；?

步驟28、通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄膜，暴露出半導(dǎo)體薄膜，形成源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形，所述形成的源電極和漏電極的寬度為2.8μm～3.0μm；?

步驟29、剝離剩余的光刻膠。?