[發(fā)明專利]帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC MESFET制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910075552.8
• 申請日: 2009-09-28
• 公開（公告）號: CN101692427A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 默江輝;李亮;王勇;李靜強;馮震;高學邦;吳洪江
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/48;H01C17/00;H01L21/60
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所 13120
• 代理人: 李榮文

1.一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，該方法中包括SiC?MESFET器件的加工工序：其特征在于胞間平衡電阻由介質基片(2)、介質基片上表面形成并相互連接的鍵合引線壓焊區(qū)(1)和薄膜電阻區(qū)(3)以及下表面形成金屬底層(4)，該胞間平衡電阻的制作步驟如下：

①對介質基片(2)進行清洗。

②在介質基片(2)上下表面制作規(guī)定厚度的金屬層；

③按照規(guī)定的精度制作鍵合引線壓焊區(qū)(1)及下表面金屬底層(4)。

④制作寬度、長度、薄膜厚度符合設計要求的薄膜電阻區(qū)(3)圖形。

上述的胞間平衡電阻設置在SiC?MESFET管芯的輸入、輸出端，其中胞間平衡電阻鍵合引線壓焊區(qū)(1)、薄膜電阻區(qū)(3)在輸入端與大柵寬SiC?MESFET管芯柵極壓焊區(qū)連接，在輸出端與漏極壓焊區(qū)連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：胞間平衡電阻鍵合引線壓焊區(qū)(1)、薄膜電阻區(qū)(3)、下表面金屬底層(4)與大柵寬SiC?MESFET管芯柵極及漏極壓焊區(qū)的電氣連接采用的是金絲楔焊技術。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：胞間平衡電阻制作工序中步驟②中所述的金屬層由鎳、鉻、金三層金屬構成。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：金屬層的制作工藝采用磁控濺射及電鍍工藝。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：胞間平衡電阻制作工序中步驟③制作鍵合引線壓焊區(qū)(1)采用精度為1μm光刻工藝，制作下表面金屬底層(4)采用的工藝為電鍍工藝。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：所述的胞間平衡電阻阻值通過器件建模技術提取SiCMESFET單胞管芯輸入輸出阻抗確定。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：大柵寬SiC?MESFET制作過程中，胞間平衡電阻與大柵寬SiC?MESFET管芯燒結在封裝外殼內腔內。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種帶有胞間平衡電阻的大柵寬SiC?MESFET制作方法，其特征在于：大柵寬SiC?MESFET制作過程中，胞間平衡電阻下表面與封裝管殼相連采用的是氮氣保護共晶燒結技術。