[發明專利]一種基于8-羥基喹啉的白光有機電致發光材料有效
| 申請號: | 200910073653.1 | 申請日: | 2009-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN101463253A | 公開(公告)日: | 2009-06-24 |
| 發明(設計)人: | 許并社;衛芳芳;王華;許慧俠;房曉紅;郝玉英;陳柳青 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | C09K11/06 | 分類號: | C09K11/06;C07D401/06;C07F3/06 |
| 代理公司: | 山西五維專利事務所(有限公司) | 代理人: | 李 毅 |
| 地址: | 030024山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 羥基 喹啉 白光 有機 電致發光 材料 | ||
技術領域
本發明屬于有機電致發光材料技術領域,涉及白光有機電致發光材料,尤 其是涉及一種基于8-羥基喹啉的白光有機電致發光材料。
背景技術
有機電致發光器件(Organic?Light?Emitting?Diode,OLED)是一種新型平 面顯示器件,具有節能、響應速度快、顏色穩定、環境適應性強、無輻射、壽 命長、質量輕、厚度薄等特點。OLED的研究始于上世紀80年代中期,1987年 美國Kodak公司的C.W.Tang發明了使用NPB為空穴傳輸材料和8-羥基喹啉鋁 (Alq3)為發光材料的具有突出性能的OLED,預示了OLED在顯示領域的廣闊應用 前景,至此拉開了國內外各大研究機構和公司研究開發OLED的序幕。
全彩色、大面積、高信息量的平面顯示器是OLED發展的最重要目標之一。 目前OLED實現彩色顯示的方法主要有紅、綠、藍(即RGB)三色素并排法和三色 素堆疊法。以上兩種方法的制備工藝非常復雜,盡管已有基于以上方法的全彩 OLED產品問世,但精密的像素制備需要高質量的光刻技術和掩膜技術,制約了 全彩OLED的應用發展。于是人們紛紛把目光轉向在白光OLED上直接應用液晶 顯示(LCD)的彩色濾光片技術來實現OLED全色發射的研發,這種方法制作工藝 簡單,生產成本低,有利于全色OLED平板顯示器的商品化發展。
白光OLED的發光亮度能夠達到上萬cd/m2以上,發光效率能夠達到40lm/W 以上,起亮電壓小于4V,使用壽命大于20000h(發光亮度為800cd/m2~1000cd/m2時),能耗低、重量輕、厚度薄,以上特點決定了白光OLED不僅能夠作為液晶 顯示器(LCD)等平板顯示器的背光源,而且更重要的是能作為一種新型節能平 板照明器件的得到廣泛應用。
白光OLED的研究最早始于上世紀90年代,早期的白光OLED采用RGB三色 素在同一象素里并排來實現白光發射,但這種白光OLED制作方法復雜,已經被 淘汰。90年代中期,日本山形大學的Kido研究小組發明了使用RGB三色素疊加 制作白光OLED的方法,簡化了制作工藝。但由于層數的增加會引起驅動電壓的 增加,使器件的透光率降低,發光色坐標隨電壓變動,主要原因是載流子復合 區域隨電壓變化降低了器件的發光效率。針對這個問題,Kido研究小組(Science, 1995,267(3):L1332)在白光OLED器件中引入空穴阻擋層1,2,4-triazole (p-Et-TAZ)(厚度3nm)來提高器件的發光效率,空穴阻擋層將空穴束縛在發光 層中,抑制了激子的遷移,提高了發光效率。美國Princeton大學的Forrest 研究小組(Appl.Phys.Lett.,1999,75:L888)以BCP作為空穴阻擋層,得到了最 大發光亮度為13500cd/m2的白光OLED器件。
在OLED中,將藍光和其他顏色的光復合發光也能夠實現白光發射,這樣就 可以減少RGB三色素疊加白光OLED器件的發光層數,簡化器件的結構和制作工 藝,這是目前白光OLED器件廣泛采用的結構。在雙發光層白光OLED中,兩個 發光層一般分別是藍光發光層和其他顏色的發光層。Strukelj等(J.Am.Chem. Soc.,1996,118:L1213)采用獨立的藍光發射層,以摻雜0.5%DCM1紅光染料的 Alq3作為紅光發光層,得到了發光亮度大于4000cd/m2,外量子效率大于0.5%的 白光OLED器件。Cheon等(Appl.Phys.Lett.,2002,81:L1738)制作了DPVBi為藍 光發光層,摻雜0.5%DCM2紅光染料的α-NPD紅光發光層的白光OLED,該器件最 大發光效率4.1lm/W,發光亮度大于50000cd/m2。同樣,由于雙發光層白光OLED 沒有空穴阻擋層,載流子復合區域難以控制,致使器件的色坐標值隨電壓變動 大,色穩定性較差。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太原理工大學,未經太原理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910073653.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:硫化鎳沉淀方法
- 下一篇:多維符號體系和相關方法





