[發明專利]一種TiO2納米管陣列薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200910071457.0
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101514471A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 李中華;肖寧;劉佳雯;高原
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26;C30B29/16;C30B30/02
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 金永煥

1、一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法按以下步驟實現：一、將鈦板剪切成尺寸相同的兩片鈦片，然后對兩鈦片進行打磨，而后放入丙酮中超聲處理10～60min，然后用蒸餾水沖洗3～5次；二、稱取0.5～1.5g的氟化銨溶于4～10mL的蒸餾水中，然后與100～200mL的乙二醇或丙三醇混合均勻，制得電解液；三、在室溫條件下將經步驟一處理的兩片鈦片平行的浸入步驟二制得的電解液中，一片為陽極，另一片為陰極，施加20～70V的電壓，然后電解處理20～60min；四、取出作為陽極的鈦片，放入稀酸溶液中超聲處理5～30min，然后用蒸餾水沖洗3～5次；五、將步驟四處理的鈦片浸入步驟二新制備的電解液中作為陽極，施加20～60V的電壓，然后電解處理0.5～72h；六、取出作為陽極的鈦片，放入乙醇中超聲處理5～20min，自然晾干；七、將晾干后的鈦片放入馬弗爐中，在溫度為300～700℃的條件下，煅燒處理2～5h，隨爐冷卻至室溫，即得到TiO₂納米管陣列薄膜；其中步驟四中稀酸溶液為稀硫酸溶液、稀硝酸溶液或稀鹽酸溶液。

2、根據權利要求1所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中兩片鈦片的尺寸為25mm×10mm。

3、根據權利要求1或2所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中對兩片鈦片分別采用50～300Cw耐水砂紙、500～1000Cw耐水砂紙和1500～2500Cw耐水砂紙進行打磨。

4、根據權利要求3所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中超聲頻率為30～60kHz、功率為150～200W。

5、根據權利要求1、2或4所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中稱取0.6～1.2g的氟化銨溶于5～9mL的蒸餾水中，然后與120～180mL的乙二醇或丙三醇混合均勻。

6、根據權利要求5所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟三中施加的電壓為30～60V。

7、根據權利要求1、2、4或6所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟四中稀酸溶液的摩爾濃度為0.5～3mol/L。

8、根據權利要求7所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟五中施加的電壓為30～50V。

9、根據權利要求1、2、4、6或8所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟六中超聲頻率為30～60kHz、功率為80～100W。

10、根據權利要求9所述的一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于步驟七中煅燒處理3～4h。