[發(fā)明專利]在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910068301.7
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN101508191A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 沈勵;遲曉暉;石富銀
• 申請（專利權）人: 天津美泰真空技術有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B27/06;B32B7/02;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/54;C23C14/56;C23C14/06;C23C14/08
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 王 麗

1.在聚碳酸酯聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜，其特征是，減反射膜由二層組成，從靠基材開始依次是：氟化鎂/三氧化二鋁；一層厚度為80-120nm的MgF₂薄膜；第二層厚度為35-45nm的三氧化二鋁薄膜。

2.權利要求1的在聚碳酸酯聚甲基丙烯酸甲酯復合板材上的減反射膜制備方法，其特征是步驟如下：

1)將聚碳酸酯聚甲基丙烯酸甲酯復合板材進行真空除濕狀態(tài)下烘烤，真空度為1×10^-2Torr-1×10^-3Torr，溫度60-70℃，連續(xù)持續(xù)時間1-3小時；

2)將烘烤后的聚碳酸酯聚甲基丙烯酸甲酯復合板材裝入電子槍真空鍍膜機內(nèi)，先進行高真空抽氣，同時工作溫度為-120℃至-165℃的深冷低溫機輔助抽氣，將殘留在片材表面的水分和材料出氣徹底清除；

3)當真空度低于3×10^-5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清潔處理和表面活化，時間為60s-120s之間；

4)打開加熱器加熱，使真空室內(nèi)溫度保持在60-80℃；

5)關閉離子源后繼續(xù)抽高真空，當?shù)竭_低于3×10^-5torr時，先打開坩堝電子槍中的氟化鎂坩堝加熱至蒸發(fā)溫度，蒸發(fā)出來的氟化鎂沉積在基材表面，當氟化鎂的沉積厚度達到設定值時，坩堝電子槍中的三氧化二鋁坩堝加熱，三氧化二鋁的沉積厚度達到設定值時關閉電子槍，每一層沉積的同時應該打開離子源進行輔助；

6)在離子源對材料進行表面活化清洗時應該使用氧氣，流量范圍是：15-30sccm；在鍍膜時進行離子輔助時氧氣流量為10-20sccm；電子槍蒸發(fā)過程中通氧氣，流量為10-15sccm。

3.如權利要求2的方法，其特征是在完成步驟6)鍍膜后，基片架在真空狀態(tài)下自動翻轉(zhuǎn)，重復步驟3)-6)的鍍膜工藝，完成雙面鍍減反膜。?