[發明專利]單分散的C70納米單晶材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200910066734.9
• 申請日: 2009-04-01
• 公開（公告）號: CN101550591A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 劉冰冰;劉德弟;崔雯;鄒廣田
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C30B29/02
• 分類號: C30B29/02;C30B7/06
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司
• 代理人: 王恩遠

1.一種單分散的C₇₀納米單晶材料，其特征是，具有面心立方結構的C₇₀納米單晶，材料的形狀是顆粒狀C₇₀納米單晶、棒狀C₇₀納米單晶或顆粒狀C₇₀納米單晶和棒狀C₇₀納米單晶相混合的晶體；顆粒狀C₇₀納米單晶粒徑在 200～600nm；棒狀C₇₀納米單晶的長度在0.6～200μm，直徑在200～2000nm； 混合晶體中，顆粒狀C₇₀納米單晶直徑大小為300～500nm，棒狀C₇₀納米單晶 的直徑大小為200～300nm，長度為600～800nm。

2.一種權利要求1的顆粒狀C₇₀納米單晶材料的制備方法，以C₇₀粉為原 料；以間二甲苯為溶劑；以甲醇、正丁醇、正戊醇或異戊醇為形狀調節劑；經制 備母液、制備C₇₀納米晶體和后處理的過程，制得C₇₀納米單晶材料；所說的制 備母液過程，是將過量的C₇₀粉放入溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置，待過 量的C₇₀粉完全沉淀后，移出上層的飽和的C₇₀間二甲苯溶液即為母液；所說的 制備C₇₀納米晶體過程，是將母液與形狀調節劑以1∶8～10的體積比混合超聲 震蕩30～60秒，再靜置2～10小時；用膠頭滴管將下層的沉淀吸出，滴到硅片或 者玻璃片上，使溶劑和形狀調節劑自然揮發，得到顆粒狀的C₇₀納米晶體；所說 的后處理過程，是將顆粒狀的C₇₀納米晶體在10^-5Pa壓強、120～150℃的溫度 下去除溶劑，得到具有面心立方結構的顆粒狀C₇₀納米單晶。

3.一種權利要求1的棒狀C₇₀納米單晶材料的制備方法，以C₇₀粉為原料； 以間二甲苯為溶劑；以正丙醇、異丁醇、仲丁醇或叔丁醇為形狀調節劑；經制備 母液、制備C₇₀納米晶體和后處理的過程，制得C₇₀納米單晶材料；所說的制備 母液過程，是將過量的C₇₀粉放入溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置，待過量 的C₇₀粉完全沉淀后，移出上層的飽和的C₇₀間二甲苯溶液即為母液；所說的制 備C₇₀納米晶體過程，是將母液與形狀調節劑以1∶8～10的體積比混合超聲震 蕩30～60秒，再靜置2～5小時；用膠頭滴管將下層的沉淀吸出，滴到硅片或者 玻璃片上，使溶劑和形狀調節劑自然揮發，得到棒狀的C₇₀納米晶體；所說的后 處理過程，是將棒狀的C₇₀納米晶體在10^-5Pa壓強、120～150℃的溫度下去除 溶劑，得到具有面心立方結構的棒狀C₇₀納米單晶。

4.一種權利要求1的顆粒狀C₇₀納米單晶和棒狀C₇₀納米單晶相混合的晶 體材料的制備方法，以C₇₀粉為原料；以間二甲苯為溶劑；以乙醇為形狀調節劑； 經制備母液、制備C₇₀納米晶體和后處理的過程，制得C₇₀納米單晶材料；所說 的制備母液過程，是將過量的C₇₀粉放入溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置， 待過量的C₇₀粉完全沉淀后，移出上層的飽和的C₇₀間二甲苯溶液即為母液；所 說的制備C₇₀納米晶體過程，是將母液與形狀調節劑以1∶8的體積比混合超聲 震蕩30秒，再靜置2小時；用膠頭滴管將下層的沉淀吸出，滴到硅片或者玻璃 片上，使溶劑和形狀調節劑自然揮發，得到直徑大小為300～500nm的顆粒狀和 直徑大小為200～300nm，長度為600～800nm，相互分散的短棒狀C₇₀納米晶體 的混合物；所說的后處理過程，是將管狀的C₇₀納米晶體在10^-5Pa壓強、 120～150℃的溫度下去除溶劑，得到具有面心立方結構的顆粒狀C₇₀納米單晶 和棒狀C₇₀納米單晶相混合的晶體。