[發明專利]一種高純度大密度抗氧化鉬電極及其制備方法無效
| 申請號： | 200910064838.6 | 申請日： | 2009-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101879595A | 公開（公告）日： | 2010-11-10 |
| 發明（設計）人： | 陳建有;陳玉山;景永輝;梁占坡;王學杰;張松旺;陳隧印 | 申請（專利權）人： | 陳建有 |
| 主分類號： | B22F3/16 | 分類號： | B22F3/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 452483 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 純度 密度 氧化鉬 電極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高純度、大密度、抗氧化鉬電極及其制備方法，其特征在于：所述高純度、大密度、抗氧化鉬電極的制備方法是：
(1)選料：選擇符合Fmo-1標準的鉬粉，粒度范圍為3.0-3.5μm，其他元素含量(％)≤；Fe?0.003、Ni?0.0015、Ai?0.001、Si?0.003、C?0.005、Mg?0.001、Sn?0.0005、O?0.005、Cu?0.001、Cr?0.001；
(2)成型：軟模裝料成型；
(3)壓制：200MPa液壓；
(4)燒結：1920℃以上的中頻燒結；
(5)鍛打：300噸電錘鍛打；
(6)車削：400車床車削定型。
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