[發明專利]一種高純度大密度抗氧化鉬電極及其制備方法無效
| 申請號: | 200910064838.6 | 申請日: | 2009-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN101879595A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 陳建有;陳玉山;景永輝;梁占坡;王學杰;張松旺;陳隧印 | 申請(專利權)人: | 陳建有 |
| 主分類號: | B22F3/16 | 分類號: | B22F3/16 |
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| 地址: | 452483 河南*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 純度 密度 氧化鉬 電極 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種高純度、大密度、抗氧化鉬電極及其制備方法。
背景技術
現有技術中,鉬電極具有高溫氣氛下強度高、抗氧化性能好、使用壽命長、抗腐蝕及不易使玻璃著色等優點,而廣泛應用于日用玻璃、光學玻璃、保溫材料、玻璃纖維、稀土工業等領域。隨著加工工藝的改進,以及對產品質量的要求提高,對于鉬電極的純度、密度、抗氧化性能的要求亦相應提高。因此必然需要開發出一種大密度、高純度以及抗氧化性極強的鉬電極。
專利號為200810040168X的中國專利,公開了一種鉬電極表面玻璃基防氧化涂層的制備方法。其優點在于:可以防止烤窯期間鉬電極的氧化;涂覆工藝采用刷涂法,不用進行熱加工。
發明內容
本發明的目的在于提供一種高純度、大密度、抗氧化能力極強的鉬電極及其制備方法,其產品密度可以達到10.5g/cm2以上,鉬含量≥99.95%;其使用溫度大于1300℃。
為達上述目的,本發明采用了如下的技術方案:所述高純度、大密度、抗氧化鉬電極的制備方法是:
(1)選料:選擇符合Fmo-1標準的鉬粉,粒度范圍為3.0-3.5μm,其他元素含量(%)≤;Fe?0.003、Ni?0.0015、Ai?0.001、Si?0.003、C?0.005、Mg?0.001、Sn?0.0005、O?0.005、Cu?0.001、Cr?0.001;
(2)成型:軟模裝料成型;
(3)壓制:200MPa液壓;
(4)燒結:1920℃以上的中頻燒結;
(5)鍛打:300噸電錘鍛打;
(6)車削:400車床車削定型。
采用上述制備方法后,由于其壓制壓力達到200MPa,燒結溫度≥1980℃,鉬含量達≥99.95%,獲得的鉬電極經檢驗發現,其密度大于11g/cm2普通鉬電極提高了3-6個百分點,其使用溫度大于1500℃,與普通鉬電極相比,提高了1-3個百分點,因此具有較強的抗氧化性能、化學性質穩定。
具體實施方式
本發明的技術方案,由以下的實施例進一步說明:
本發明所述高純度、大密度、抗氧化鉬電極的制備方法是:
(1)選料:選擇符合Fmo-1標準的鉬粉,粒度范圍為3.0-3.5μm,其他元素含量(%)≤;Fe?0.003、Ni?0.0015、Ai?0.001、Si?0.003、C?0.005、Mg?0.001、Sn?0.0005、O?0.005、Cu?0.001、Cr?0.001;
(2)成型:軟模裝料成型;
(3)壓制:200MPa液壓;
(4)燒結:1920℃以上的中頻燒結;
(5)鍛打:300噸電錘鍛打;
(6)車削:400車床車削定型。
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