[發(fā)明專利]一種閃存讀寫方法與閃存設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910058900.0
• 申請日: 2009-04-09
• 公開（公告）號: CN101533662A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周建華
• 申請（專利權(quán)）人: 成都市華為賽門鐵克科技有限公司
• 主分類號: G11C7/00
• 分類號: G11C7/00;G11C11/00
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• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及領(lǐng)域電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存讀寫方法與閃存設(shè)備。

背景技術(shù)

閃存(Flash)是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲介質(zhì)，其不同于傳統(tǒng)的易失性隨機(jī)訪問存儲介質(zhì)和揮發(fā)性存儲器，當(dāng)發(fā)生斷電后其上數(shù)據(jù)不會消失，因此閃存可以作為外部存儲器使用。與非型(NAND)閃存是一種常見的閃存設(shè)備，其從結(jié)構(gòu)上可分為多層式儲存單元(MLC，Multi?Level?Cell)與單層式儲存單元(SLC，Single?Level?Cell)。其中，多層式與非型(NAND)閃存因?yàn)閿?shù)據(jù)存儲密度大、存儲效率高而獲得廣泛應(yīng)用。

由于NAND閃存的地址、數(shù)據(jù)與命令的輸入輸出端口(I/O，Input/Output)通道是復(fù)用的，其讀寫數(shù)據(jù)的過程比較復(fù)雜。NAND閃存寫入數(shù)據(jù)的過程包括：先發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的寫命令1，再發(fā)送五個(gè)時(shí)鐘周期的寫地址，然后寫入數(shù)據(jù)，寫數(shù)據(jù)過程完成后，再發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的寫命令2表示數(shù)據(jù)已寫完，再經(jīng)過一段時(shí)間的寫潛伏期后，進(jìn)入查詢狀態(tài)判斷是否寫數(shù)據(jù)成功，如果沒有成功寫入數(shù)據(jù)則需要重新寫入。NAND閃存讀取數(shù)據(jù)的過程包括：先發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的讀命令1，再發(fā)送五個(gè)時(shí)鐘周期的讀地址，再發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的讀命令2，再經(jīng)過一段時(shí)間的讀潛伏期后，開始讀出數(shù)據(jù)。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的多層式NAND閃存技術(shù)至少存在以下缺陷：由于多層式NAND閃存在數(shù)據(jù)讀寫過程中要經(jīng)過一定時(shí)間的讀潛伏期或?qū)憹摲冢谧x/寫潛伏期內(nèi)輸入輸出端口不能一直讀/寫數(shù)據(jù)，影響了數(shù)據(jù)讀/寫的效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種閃存讀寫方法與閃存設(shè)備，以提高多層式與非型閃存的讀寫速度。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種閃存讀寫方法，包括如下步驟：

多層式與非型閃存中的多個(gè)層被預(yù)先劃分為多個(gè)讀寫單元，所述多層式與非型閃存中的一個(gè)或數(shù)個(gè)層被預(yù)先劃分為一個(gè)讀寫單元，所述每個(gè)讀寫單元在讀/寫數(shù)據(jù)一段時(shí)間后從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期；

當(dāng)所述多個(gè)讀寫單元中的一個(gè)讀寫單元從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期時(shí)，從所述另一個(gè)讀寫單元中讀/寫數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供一種閃存設(shè)備，所述設(shè)備包括控制單元和至少一個(gè)多層式與非型閃存；

所述至少一個(gè)多層式與非型閃存中包括多個(gè)讀寫單元，所述多層式與非型閃存中的一個(gè)或數(shù)個(gè)層被預(yù)先劃分為一個(gè)讀寫單元，所述每個(gè)讀寫單元用于在讀/寫數(shù)據(jù)一段時(shí)間后從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期；

所述控制單元，用于當(dāng)所述多個(gè)讀寫單元中的一個(gè)讀寫單元從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期時(shí)，從所述多個(gè)讀寫單元中的另一個(gè)讀寫單元中讀/寫數(shù)據(jù)。

根據(jù)對上述技術(shù)方案的描述，本發(fā)明實(shí)施例有如下優(yōu)點(diǎn)：多層式與非型閃存中的多個(gè)層被預(yù)先劃分為多個(gè)讀寫單元，當(dāng)所述多個(gè)讀寫單元中的一個(gè)讀寫單元從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期時(shí)，從所述另一個(gè)讀寫單元中讀/寫數(shù)據(jù)，使得處于讀/寫操作期的讀寫單元在其它一個(gè)或多個(gè)讀寫單元的讀/寫潛伏期內(nèi)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，提高了數(shù)據(jù)讀/寫效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例一提供的一種閃存讀寫方法的流程示意圖；

圖2為了一種多層式與非型閃存的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的多層式與非型閃存中多個(gè)讀寫單元依次進(jìn)入讀/寫操作期的示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例三提供的一種閃存設(shè)備的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要注意的是，以下實(shí)施例只是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，這些實(shí)施例只用于描述本發(fā)明而不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例一提供的一種閃存讀寫方法的流程示意圖，該方法包括如下步驟：

S11：多層式與非型閃存中的多個(gè)層被預(yù)先劃分為多個(gè)讀寫單元，所述每個(gè)讀寫單元在讀/寫數(shù)據(jù)一段時(shí)間后從讀/寫操作期進(jìn)入讀/寫潛伏期。