[發明專利]一種閃存讀寫方法與閃存設備有效
| 申請號： | 200910058900.0 | 申請日： | 2009-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN101533662A | 公開（公告）日： | 2009-09-16 |
| 發明（設計）人： | 周建華 | 申請（專利權）人： | 成都市華為賽門鐵克科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/00 | 分類號： | G11C7/00;G11C11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 閃存 讀寫 方法 設備 | ||
1.一種閃存讀寫方法，其特征在于，包括如下步驟：
多層式與非型閃存中的多個層被預先劃分為多個讀寫單元，所述多層式與非型閃存中的一個或數個層被預先劃分為一個讀寫單元，所述每個讀寫單元在讀/寫數據一段時間后從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期；
當所述多個讀寫單元中的一個讀寫單元從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期時，從另一個讀寫單元中讀/寫數據。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層式與非型閃存包括至少2片閃存，其中每片閃存包括至少2個層。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述每個讀寫單元在讀/寫數據一段時間后從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期包括：所述每個讀寫單元在讀/寫一頁或多頁數據之后從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期。
4.一種閃存設備，其特征在于，所述設備包括控制單元和至少一個多層式與非型閃存；
所述至少一個多層式與非型閃存中包括多個讀寫單元，所述多層式與非型閃存中的一個或數個層被預先劃分為一個讀寫單元；
所述控制單元，用于控制當所述多個讀寫單元中的一個讀寫單元從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期時，從所述多個讀寫單元中的另一個讀寫單元中讀/寫數據。
5.如權利要求4所述的設備，其特征在于，所述多層式與非型閃存包括至少2片閃存，其中每片閃存包括至少2個層。
6.如權利要求4所述的設備，其特征在于，所述控制單元通過輸入輸出端口通道與所述至少一個多層式與非型閃存中的多個讀寫單元相連。
7.如權利要求4所述的設備，其特征在于，所述控制單元通過高級技術附加裝置接口與外部設備相連。
8.如權利要求4至7中的任一項所述的設備，其特征在于，所述每個讀寫單元在讀/寫一頁或多頁數據后從讀/寫操作期進入讀/寫潛伏期。
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